Infrarotmikroskop C10506-06-16

InspektioninversNahinfrarot

Das invertierte Emissionsmikroskop ist ein Rückseiten-Analysesystem, das zur Identifizierung von Fehlerstellen durch Erkennung des von den Defekten in Halbleiterbauelementen emittierten Lichts und der Wärme dient. Die Signaldetektion von der Rückseite erleichtert den Einsatz von Probe und Probekarte an der Waferoberfläche, und die Probeneinstellung kann problemlos durchgeführt werden. Die Plattform, auf der mehrere Detektoren und Laser montiert werden können, ermöglicht die Auswahl des optimalen Detektors für die Durchführung verschiedener Analysemethoden, wie z. B. die Analyse der Lichtemission und Wärmeentwicklung, die IR-OBIRCH-Analyse und andere; außerdem kann die dynamische Analyse durch den Anschluss des Testers effizient durchgeführt werden. ●iPHEMOS-MP Unterstützung für Messungen von einem einzelnen Chip bis zu einem Wafer durch Montage eines 300-mm-Wafer-Probers. Multi-Pin-Nadelkontakt durch Probe Card und Probenbeobachtung auf PC-Board sind verfügbar. Dynamische Analyse mit LSI-Tester-Antrieb ist auch über Kabelverbindung möglich. Merkmale - Zwei ultrahochempfindliche Kameras montierbar für Emissionsanalyse und thermische Analyse - Laser für bis zu 3 Wellenlängen und eine Sondenlichtquelle für EOP sind montierbar - Multiplattform zur Montage mehrerer Detektoren - Hochempfindliches Makroobjektiv und bis zu 10 Objektive für jede Detektorempfindlichkeitswellenlänge geeignet Optionen - Inklusive Laser-Scan-System - Emissionsanalyse mit hochempfindlicher Nah-Infrarot-Kamera - Thermische Analyse mit hochempfindlicher Mittelinfrarot-Kamera - IR-OBIRCH-Analyse - Dynamische Analyse durch Laserbestrahlung - EO-Sondierungsanalyse - Hochauflösende und hochempfindliche Analyse mit NanoLens - Anbindung an CAD-Navigation - Anbindung an LSI-Tester