Hochspannungstester FTI-1000 Wafer HV

WechselstromDCfür elektrische Ausrüstung

Produktübersicht Das FTI‑1000 Wafer HV ist ein Wafer‑Level ATE‑System für hochabdeckende Tests von Leistungshalbleitern und Wide‑Bandgap‑Technologien. Die Wafer HV‑Variante bietet Hochspannungs‑DC‑ und AC‑Quellen und ist für Single‑Site‑Probe‑Anwendungen ausgelegt, die bis zu 6 kV DC und 5,5 kV AC erfordern.

Warum wählen

• Flexible Konfiguration — Modulare Tester‑per‑Channel‑Board‑Architektur ermöglicht unabhängige Ressourcen und skalierbare Erweiterung
• Umfassende elektrische Abdeckung — Unterstützt DC‑ und AC‑parametrische Tests zur Charakterisierung von MOSFETs und Leistungshalbleitern
• Zugängliche Softwaresteuerung — FTI Studio bietet Probe‑Card‑Bring‑up, Testprogramm‑Entwicklung und Debugging‑Werkzeuge für Engineering‑ und Produktionsteams

Detaillierte Übersicht Das FTI‑1000 deckt die Ingenieurscharakterisierung und den Wafer‑Sort für hohe Stückzahlen ab, mit unabhängigen DC‑ und AC‑Testressourcen zur Messung zentraler MOSFET‑Parameter wie DC‑Kennlinien, ΔVsd, induktives Schalten (UIL/UIS/CIS), Gate‑Charge und Gate‑Widerstand. Die USB‑basierte modulare Architektur ermöglicht einfache Systemerweiterung und flexible Ressourcenteilung für Single‑Site‑ und Multi‑Site‑Probe‑Workflows. Das System lässt sich in automatisierte Wafer‑Prober und Probe‑Card‑Schnittstellen integrieren, ohne an eine bestimmte mechanische Plattform gebunden zu sein, und unterstützt Prozessentwicklung, frühe Bauteilcharakterisierung und Produktions‑Wafer‑Sort.

Funktionen / Konfigurationen

• Varianten: Wafer HV (Hochspannung) und Wafer MV (Mittelspannung)
• Anzahl Testsites — Wafer HV: 1; Wafer MV: bis zu 16
• DC‑parametrische Tests — Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss etc.
• Gate‑Messungen — Rg, Cg, Qg; wählbare/steckbare Rg‑Optionen (0, 10, 25, 50 Ω und steckbarer Benutzer‑R)
• AC‑Quellen — Wafer HV: 5,5 kV AC; Wafer MV: 1,2 kV AC
• AC‑Schaltstrom — Wafer HV: bis zu 200 A; Wafer MV: bis zu 100 A
• Avalanche‑Energie — >10 J (beide Varianten)
• Ladeinduktor‑Optionen — steckbare diskrete Induktoren oder wählbares Induktor‑Box

Technische Spezifikationen

• Modellfamilie: FTI‑1000 Wafer
• Hauptanwendung: Wafer‑Level‑Tests für Leistungsdiscrete und Wide‑Bandgap‑Bauelemente
• Architektur: Modular Tester‑per‑Channel Board, USB‑basiertes Framework; skalierbar für Single‑Site und Multi‑Site Probe‑Anwendungen
• Software: FTI Studio — Probe‑Card‑Bring‑up, Testprogramm‑Entwicklung, Wellenform‑Erfassung, automatische Datenblatt‑Generierung, Schmoo‑Plotting, PAT‑Analyse gemäß AEC‑Q001 Rev. C
• DC‑Quellenspannung — Wafer HV: 6 kV; Wafer MV: 1,2 kV
• Strom‑Antriebsbereich — Wafer HV: ab 10 mA; Wafer MV: ab 25 mA
• Spitzenschaltstrom — Wafer HV: bis zu 200 A; Wafer MV: bis zu 100 A
• Digitale IO: Option für 8 unabhängige digitale Kanäle (IC Channel Board)
• Plug‑in‑Optionen: Hochspannungs‑Erweiterungen, Hochstrom‑Pulsmodule, Digitizer, LCR‑basierte Rg‑Messung
• Gehäusemaße: System 541 × 345 × 206 mm; Netzteil 345 × 176 × 103 mm
• Zielbranchen: Automotive, Industrie, Entwicklung und Produktion von Wide‑Bandgap‑Leistungsbauelementen