Alterungstestsystem Hatina WLBI
ThermoLeistungsfähigkeitbeschleunigte Alterung

Alterungstestsystem - Hatina WLBI - Cosmic Equipment S.p.A. - Thermo / Leistungsfähigkeit / beschleunigte Alterung
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Eigenschaften

Art der ophtalmischen Tests
Alterung, Thermo, Leistungsfähigkeit, beschleunigte Alterung
Bereich
Labor, für die Elektronik, für Forschung und Entwicklung
Betätigung
für Halbleiter, für GaN FET
Form
kompakt
Weitere Eigenschaften
Präzision, MCA, Hochspannung

Beschreibung

Produktübersicht
Das Hatina WLBI ist eine Wafer-Level Burn-In (WLBI) und HTOL-Lösung, entwickelt für Leistungshalbleiter auf Wafern. Die kompakte Testkammer (Nutzfläche nominal 560×560×550 mm; Datenblatt D×W×H 560×560×560 mm) wird an Standard-Wafer-Prober angeschlossen, um Full-Wafer Burn-In mit hoher parallelität zu ermöglichen. Heizungen sind in jedem DUT integriert und bieten eine präzise, energiearme lokale Temperaturregelung (ofenlose Methode), wodurch Energieverbrauch und Platzbedarf reduziert und die Automatisierungsintegration vereinfacht werden.

Hauptvorteile
  • Unterstützt Leistungstechnologien: Si, SiC und GaN
  • Kompatibel mit 6-, 8- und 12-Zoll-Wafern
  • Ermöglicht Full-Wafer Burn-In und beschleunigte Zuverlässigkeitstests
  • Hohe Paralleldurchsatzraten für kosteneffiziente Lebenszyklustests
  • Integration mit Standard-Wafer-Prober-Plattformen

Funktionen / Funktionale Fähigkeiten
  • Kompakte Wafer-Level Burn-In-Kammer, ausgelegt zur Schnittstelle mit Standard-Wafer-Probern
  • Hoher paralleler Durchsatz: bis zu 1.600 Prüfstellen gleichzeitig
  • Elektrische Grenzwerte pro Prüfstelle: bis zu 1,2 kV und 2 mA
  • Unterstützt funktionales Burn-In, HTGB und HTRB Testaufbauten
  • Verteilte, integrierte Heizer an jedem DUT für präzise, energiearme Temperaturregelung
  • Reinraumgeeignetes Design und automationsfähige Integration

Parameter / Variantenhinweise
  • Func_Test: Ja
  • HTGB: Ja
  • HTRB: Ja
  • BVDSs: möglich (künftige uIDE Software-Version)
  • IDSx: möglich (künftige uIDE Software-Version)
  • Vth: möglich (künftige uIDE Software-Version)
  • Bis zu 1600 Die in einem einzelnen Wafer-Touchdown (3 Endpunkte pro Prüfstelle)

Technische Daten
  • Anzahl Prüfstellen: Bis zu 1600
  • Abmessungen (D × W × H): 560 mm × 560 mm × 560 mm (Datenblatt); kompakte Kammer laut Übersicht: 560×560×550 mm
  • Drain High Voltage Power Supply: -50 V bis 1,2 kV
  • Gate Voltage Power Supply: -50 V bis +50 V
  • Strom im Functional Test: 2 mA
  • Strom im HTRB Test: 2 mA
  • Strom im HTGB Test: 2 mA
  • Unterstützte Testtypen: funktionales Burn-In, HTGB, HTRB, WLBI (Full-Wafer)
  • Wafer-Kompatibilität: 6-, 8- und 12-Zoll-Wafer

Messen

Sie können diesen Hersteller auf den folgenden Messen antreffen

PCIM Expo & Conference
PCIM Expo & Conference

9-11 Juni 2026 Nuremberg (Deutschland)

  • Mehr Informationen
    Semicon
    Semicon

    10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland)

  • Mehr Informationen
    * Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.