Testplattform für Halbleiter M2 Flexible Edition

Produktübersicht
Eine flexible Plattform für KGD, verpackte Bauelemente und kleine Module. Ultrahohe AC- und DC-Prüfgeschwindigkeiten an mehreren Sites, einschließlich Avalanche-, Kurzschluss- und DRB-Stresstests sowie thermischen Die-Attach/Package-Prüfungen. Die loadboard-basierte Architektur ermöglicht einen schnellen Wechsel zwischen verschiedenen Gehäusetypen und zwischen Pick-and-Place-, Gravity-Feed- oder Leadframe-Handlern. Die Plattform integriert modulare Hochspannungs-/Hochstrom-DC- und dynamische AC-Prüfungen in einer kompakten, handler-freundlichen Architektur, ausgelegt für 24/7-Betrieb in Produktionsumgebungen.

Gründe

• Betriebliche Flexibilität: Schnellere Einrichtung für neue Bauteilfamilien, rasches Umrüsten von Handlern für unterschiedliche Gehäusegrößen, einfache Übergänge zwischen Umgebungstest und Hot-Test. Geeignet für Low-Volume/High-Mix-Szenarien und Engineering/NPI. Das modulare Design von M2 ermöglicht die Rekonfiguration von Tests, Topologien, Generator-Kombinationen und Stressbedingungen mit minimaler Unterbrechung.
• Skalierbare Plattform für Wachstum: M2 wächst mit den Produktionsanforderungen. Booster-Boards können hinzugefügt werden, um LV-Stromtests auf bis zu 1.000 A zu erhöhen. DS5 Quasar und DS6 Pulsar ermöglichen die Erweiterung der dynamischen Schaltprüfungen.
• Reproduzierbare Ergebnisse: Eine Testarchitektur über mehrere Fertigungsstufen reduziert Korrelationsprobleme, vereinfacht Setups und Schulungen. Eine Plattform für KGD, verpackte Bauelemente und kleine Module mit produktionsbewährter Sicherheit.

Schlüsselfähigkeiten

• Modulare AC+DC-Testarchitektur, die statische Parameter, dynamische Schaltleistung, Gate-Qualität, Avalanche- und Kurzschluss-Stresstests, DRB-Stresstests und thermische Die-Attach-Prüfungen unterstützt.
• Loadboard-basierter Ansatz für schnelles Umrüsten zwischen Gehäusetypen und Handler-Schnittstellen (Pick-and-Place, Gravity-Feed, Leadframe-Strip).
• Ausgelegt für kontinuierlichen, hochzuverlässigen Produktionseinsatz mit robusten, präzisen Hardwarekomponenten und minimierten Wartungsanforderungen.
• Konzipiert für SiC-, GaN- und Silizium-Leistungshalbleiter im Die-Stadium (KGD), diskreten verpackten Bauelementen und kleinen Modulen.

FEATURES / KONFIGURATIONEN (Übersichtstabelle)
FEATURES/CONFIGURATIONS | M2 | M2 PRO | M2 Pulsar | M2 Pulsar Pro | M2 One-Test
Number of test sites | 2 DUT x 2 sites (AC + DC) | 4 DUT x 2 sites (AC + DC) | 2 DUT x 2 sites (AC + DC) | 4 DUT x 2 sites (AC + DC) | 1 site AC + DC combined
AC dynamic switch performance | M2 DS5 Quasar Upto 2kA short circuit | M2 DS5 Quasar Upto 2kA short circuit | M2 DS6 Pulsar Upto 7.5kA short circuit | M2 DS6 Pulsar Upto 7.5kA short circuit | M2 DS5 Quasar Upto 2kA short circuit
DC parametric test | 3kV 200A (integrated) | 3kV 200A (integrated) | 3kV 600A (integrated) Expandable to 1,000A | 3kV 600A (integrated) Expandable to 1,000A | 3kV 200A (integrated)
Gate oxide and quality | Gate resistance & capacitance | Gate resistance & capacitance | Gate resistance & capacitance | Gate resistance & capacitance | Gate resistance & capacitance
UIS avalanche / body diode quality | — | 2kV 1000A AC test | — | 2kV 1000A AC test | —

Zusätzliche Hinweise
M2 zielt auf die nächste Generation von Wide-Bandgap-(WBG)-Leistungsprodukten ab und unterstützt schnelle Rekonfiguration, modulare Erweiterung (Booster, DS5/DS6-Generatoren) sowie einen produktionsorientierten Sicherheits- und Zuverlässigkeitsansatz. Das System unterstützt handler-freundliche Integration für Pick-and-Place-, Gravity-Feed- und Leadframe-Handler und eignet sich für High-Mix/Low-Volume-Szenarien sowie für Wachstum zu hohen Stückzahlen.

Eigenschaften / Technische Spezifikationen

• Modell: M2 Flexible Edition — modulare ATE-Plattform für KGD, verpackte Bauelemente und kleine Module.
• Unterstützte Technologien: SiC, GaN, Silizium-Leistungsbauelemente (MOSFETs, JFETs, IGBTs, Transistoren, SCRs, bipolare Bauelemente, Dioden, TRIACs, intelligente Leistungsbauelemente).
• Testarten: Statische DC-parameterprüfungen, dynamische AC-Schaltprüfungen, Avalanche, Kurzschluss, DRB-Stresstests, thermische Die-Attach-/Package-Prüfungen, Gate-Oxid-/Widerstands-/Kapazitätsmessungen.
• DC parametric (integriert): bis zu 3 kV; typische integrierte Ströme 200 A (Standard) und 600 A bei Pulsar-Varianten; erweiterbar auf 1.000 A mit Booster-Boards.
• AC dynamic switch performance: DS5 Quasar (bis zu 2 kA Kurzschluss) und DS6 Pulsar (bis zu 7,5 kA Kurzschluss) Optionen je nach Konfiguration.
• Anzahl der Sites (M2 Flexible Edition Konfiguration): 2 DUT x 2 sites (AC + DC); andere Varianten unterstützen 4 DUT x 2 sites oder einen kombinierten einzelnen Site.
• Architektur: Loadboard-basiert für schnellen Wechsel zwischen Gehäusetypen und Handler-Schnittstellen (Pick-and-Place, Gravity-Feed, Leadframe-Strip).
• Skalierbarkeit: Modulare Generatorerweiterungen (DS5/DS6), Booster-Boards zur Erhöhung der LV-Stromprüfung; die Plattform wächst mit den Produktionsanforderungen.
• Betrieb: Robuste, präzise Konstruktion für 24/7-Betrieb in Hochvolumenproduktion mit bewährten Sicherheitsfunktionen.