Impedanztester M2 Turret Edition

KapazitätAbleitstromLeistungsfähigkeit

Übersicht
Nächste Generation von Testplattformen für Wide-Bandgap-Leistungsprodukte. Entwickelt für hochvolumige Produktion mit Dreh-Turret- und Förderband-Handlern; misst statische Parameter, dynamische Schaltleistung, thermische Die-Attach-Qualität, Gate-Oxid-Metriken und führt Stresstests wie Avalanche und Kurzschluss mit modularen Hochleistungs-Testgeneratoren durch.

Hauptvorteile

• Maximaler Durchsatz: UPH bis zu 15.000+ Geräte pro Stunde (Index-paralleler Turret-Test).
• Breite Geräteunterstützung: SiC, GaN und Si Leistungsbauteile, z. B. MOSFETs, IGBTs, JFETs, bipolare Bauteile und Dioden.
• Produktionsbereit: Schnittstellen zu Turret- und Förderband-Handlern; modulare, erweiterbare Architektur für wachsende Testanforderungen.

Produktvorstellung / Fähigkeiten
M2 Turret Edition kombiniert ultraschnelle Testgeneratoren und optimierte Software, um Testpläne über mehrere Generatoren zu verteilen und maximale Geschwindigkeit zu erreichen. Das System ist für den 24/7-Betrieb in Hochvolumenproduktionen ausgelegt und bietet modulare Optionen für AC dynamic switch-Module (Quasar, Pulsar), DC-parametrische Module und QA-/Thermo-Module.

FEATURES / KONFIGURATIONEN (Übersicht)
Varianten: Turret | Turret Pro | Turret Pulsar | Turret Pulsar Pro
Anzahl Testplätze: 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Quasar AC test, FB, UIS, QA station | 4 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, QA station | 6 — HVLV 3kV 200A, RG, Pulsar AC test, FB, UIS, QA station
AC-Dynamic-Switch-Leistung: M2 DS5 Quasar bis zu 2 kA Kurzschluss | M2 DS5 Quasar bis zu 2 kA Kurzschluss | M2 DS6 Pulsar bis zu 7,5 kA Kurzschluss | M2 DS6 Pulsar bis zu 7,5 kA Kurzschluss
DC-Parametrik: 3 kV 200 A (integriert) | 3 kV 200 A (integriert) | 3 kV 600 A (integriert) — erweiterbar auf 1.000 A | 3 kV 600 A (integriert) — erweiterbar auf 1.000 A

Anwendungsbereiche
Hochdurchsatz-Tests moderner Leistungsbauteile über Produktionsstufen hinweg: KGD, verpackte Diskrete und Module; geeignet für Wafer-Probe, Diskret-Streifen-Test und Finaltest in der Leistungshalbleiterfertigung.

Technische Spezifikationen

• Plattform: M2 modulare und erweiterbare Testerplattform, optimiert für ultraschnelle elektrische Tests.
• Durchsatz: UPH bis zu 15.000+ Geräte pro Stunde (index-paralleler Ansatz).
• Unterstützte Technologien: SiC, GaN, Si.
• Testarten: statische Parametrik, DC-parametrische Tests, AC-dynamisches Switching, thermischer Die-Attach (deltaVSD), Gate-Widerstand & Kapazität, Avalanche- und Kurzschlusstests, UIS/Body-Diode-Tests.
• DC-Parametrik: integriert bis 3 kV; 200 A Standard bei einigen Varianten; Pulsar-Varianten: 3 kV 600 A integriert, erweiterbar auf 1.000 A.
• AC-Dynamic-Switch: Quasar (DS5) bis 2 kA; Pulsar (DS6) bis 7,5 kA Kurzschlussleistung.
• Thermal Die-Attach-Test: M1 FB deltaVSD 1 kW, bis 300 V / 100 A (verfügbar bei Pro / Pulsar Pro).
• UIS Avalanche: 2,3 kV, 200 A ungeclipte induktive Last (Pro / Pulsar Pro).
• Gleichzeitige Sites: 4 bis 6 je nach Variante; konfigurierbare RG-, Quasar/Pulsar-AC-, FB-, UIS- und QA-Stationen.
• Integration: Für 24/7-Betrieb ausgelegt, robust und präzise; Schnittstellen zu Turret- und Förderband-Handlern.