Spannungsvorverstärker 2003BT

elektronisch

- Rauscharmes Design: weniger als 2,0 keV (Si) bei 0 pF - Hohe Energieleistung: bis zu 2 x 106 MeV pro Sekunde - FET-Eingang, diodengeschützt - Unabhängige Energie- und schnelle Zeitausgänge - Schnelle Anstiegszeit von weniger als 3 ns bei 0 pF - Geringe Größe - Geeignet für den Betrieb in einer Vakuumkammer Der ladungsempfindliche FET-Eingangsvorverstärker Modell 2003BT ist für eine optimale Leistung mit Siliziumdetektoren wie den Mirion Passivated Implanted Planar Silicon (PIPS)-Detektoren und älteren Silizium-Oberflächenbarriere (SSB)-Detektoren ausgelegt. Das Gerät arbeitet als Ladungs-/Spannungswandler und nimmt Ladungsträger auf, die im Detektor bei jedem absorbierten nuklearen Ereignis erzeugt werden. Der Ausgang liefert dann eine Spannung im direkten Verhältnis zur gesammelten Ladung mit einer Rate von 0,45 V pro pC. Dies entspricht einer Verstärkung von 20 mV pro MeV für Siliziumdetektoren bei Raumtemperatur Für den typischen Einsatz mit positiv vorgespannten Siliziumdetektoren liefert der extrem lineare Energieausgang einen Impuls mit positiver Polarität, der ideal für die Energiespektroskopie ist. Der koinzidente Timing-Ausgang liefert einen schnellen differenzierten Impuls negativer Polarität, der sich ideal für die zeitliche Auflösung von Kernereignissen eignet Die hohe Ladungsrate der Konstruktion wird durch eine Energieratenkapazität von mehr als 2 x 106 MeV pro Sekunde bei Verwendung von Siliziumdetektoren belegt. Um die Vorteile einer solch hohen Zählratenkapazität voll auszuschöpfen, sollte ein Hauptverstärker mit einer entsprechend hohen Zählratenkapazität, wie der Verstärker Modell 2025 oder Modell 2026, verwendet werden Die grundlegende Funktionsweise des Vorverstärkers ist im Funktionsschema dargestellt.