Speichermodul / DDR3 SDRAM DDR3 8Gbit

Da der DRAM-Markt eine stetige Migration zu DDR4-Speicher durchläuft, haben mehrere wichtige Hersteller bereits die End-of-Life (EOL)-Produktion von DDR3-Modulen angekündigt, die auf hochdichten DDR3-8-Gbit-Komponenten basieren, einschließlich einer EOL-Meldung der Komponenten. Eine beträchtliche Anzahl von Kunden in der Netzwerk- und Embedded-Branche ist jedoch immer noch nicht in der Lage, auf die neueste Generation umzusteigen und weiterhin Legacy-Systeme zu nutzen, die einen spezifischen DDR3-Speicher erfordern, wie VLP RDIMMs oder SO-DIMMs mit hoher Dichte. Um eine Lieferengpässe zu vermeiden, die sich nachteilig auf den Geschäftsbetrieb dieser Kunden auswirken könnten, hat sich ATP entschlossen, für diese Module eigene DDR3-8-Gbit-Komponenten bereitzustellen. ATP-Built, charakterisiert und getestet vom IC bis zum Modul Die selbstgebauten DDR3-Module von ATP bestehen aus sorgfältig charakterisierten und getesteten hochwertigen integrierten Schaltungen (ICs). Die Komponenten werden nach den hohen Standards von ATP mit Hilfe der 2x nm Fertigungsprozesstechnologie hergestellt und über ein umfangreiches Komponententestprogramm getestet, um die Gesamtleistung der Speichermodule zu verbessern. ATP DDR3 8 Gbit Komponenten sind frei von Reihenhammereffekten und verhindern so katastrophale zufällige Bitwechsel, die durch die elektrische Ladung von Zellen verursacht werden, die an benachbarte Zellen austreten und sukzessive Daten in diese schreiben. Auf Modulebene führt ATP einen 100%-Test beim Burn-In (TDBI) in den Produktionsablauf durch, um das hochwertige Modul zu gewährleisten. Hauptmerkmale ATP-Built, charakterisiert und getestet vom IC bis zum Modul 100% Test beim Burn-In (TDBI) Erhältlich in monolithischer 8 Gb Ein-Chip-Auswahl (1CS) Verfügbar in 8 Gb DDP Zwei-Chip-Auswahl (2CS) Langlebigkeitsunterstützung