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Direktspannung: 350 V
Sperrspannung: 350 V
RFN5BGE3S ist die epitaktische Epitaxial-Planar-Silizium-Diode mit kurzer Erholzeit.
ROHM Semiconductor
Direktspannung: 600 V
Sperrspannung: 600 V
RFN20TJ6SFHG hat einen niedrigen VF, geringen Schaltverlust und ist für die allgemeine Gleichrichtung geeignet.
ROHM Semiconductor
Direktspannung: 400 V
Sperrspannung: 400 V
Der RF201LAM4STF ist eine hochzuverlässige Fast Recovery Diode für die Automobilindustrie, geeignet für universelle Gleichrichteranwendungen.
ROHM Semiconductor
RF202LAM2S ist eine Fast-Recovery-Diode mit niedriger VF und niedrigen Schaltverlusten für universelle Gleichrichter-Anwendungen.
ROHM Semiconductor
Direktspannung: 400 V
Sperrspannung: 400 V
Der RF101LAM4STF ist eine hochzuverlässige Fast Recovery Diode für die Automobilindustrie, geeignet für universelle Gleichrichteranwendungen.
ROHM Semiconductor
Sperrspannung: 10 kV - 300 kV
... Produktmerkmale 1. geringe Leckage, geringe Leistung, hohe Stoßleistung. 2. Effiziente, schnelle Reaktionszeit. 3. Tj Betriebstemperaturbereich der Anschlussstelle -40~+175 . 4. Umgekehrter Lawinenausbruchschutz. 5. Polyimid-Passivierungstechnologie ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Sperrspannung: 5 kV - 200 kV
... Produktmerkmale 1. geringe Leckage, geringe Leistung, hohe Stoßleistung. 2. Effiziente, schnelle Reaktionszeit. 3. Tj Betriebstemperaturbereich der Anschlussstelle -40~+175 . 4. Umgekehrter Lawinenausbruchschutz. 5. Polyimid-Passivierungstechnologie ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Sperrspannung: 2 kV - 50 kV
... Produktmerkmale 1. geringe Leckage, geringe Leistung, hohe Stoßleistung. 2. Effiziente, schnelle Reaktionszeit. 3. Tj Betriebstemperaturbereich der Anschlussstelle -40~+175 . 4. Umgekehrter Lawinenausbruchschutz. 5. Polyimid-Passivierungstechnologie ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Direktspannung: 0,9 V
Sperrspannung: 300 V
... ALLGEMEINE BESCHREIBUNG RFR60F30APN ist eine ultraschnelle Wiederherstellungsdiode, die in fortschrittlicher planarer Silizium-Epitaxie-Technologie hergestellt wird. Der Prozessparameter und die Vorrichtungsstruktur werden mit optimierter Leistung des ...
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