Halbleiterdetektor PVM-8
dynamischIR

Halbleiterdetektor
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Eigenschaften

Technologie
Halbleiter, dynamisch, IR

Beschreibung

2.0 - 9,0 µm, Umgebungstemperatur, Mehrfachsperrschicht PVM-8 ist ein ungekühlter IR-Photovoltaik-Mehrfachübergangsdetektor, der auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität basiert. Der Detektor ist für die maximale Leistung bei λopt = 8,0 μm optimiert. Er ist besonders nützlich als Detektor mit großer aktiver Fläche, der im Spektralbereich von 2,0 bis 9,0 µm arbeitet. Anwendungen: - Spektralbereich von 2,0 bis 9,0 µm - Große aktive Fläche von 1×1 mm^2 bis 4×4 mm^2 - Betrieb bei Umgebungstemperatur - Kein Bias erforderlich - Kein 1/f-Rauschen - Empfindlich für die Polarisation der IR-Strahlung Parameter: PVM-8 Werkstoff: MCT Typ: Mehrfachverknüpfung Eintauchen: Nicht-Immersion Kühlung: Nein Wellenlänge/ λopt/ µm: 8 Gehäuse: BNC, TO8, TO39 Fenster: Nein Erkennbarkeit/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-1: ≥6,5x107 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤4

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.