Halbleiterdetektor PV-3
dynamischIRWellenlänge

Halbleiterdetektor
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Eigenschaften

Technologie
Halbleiter, dynamisch, IR
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Wellenlänge

Beschreibung

2.3 - 3,2 µm, Umgebungstemperatur PV-3 ist ein ungekühlter IR-Photodetektor, der auf einer hochentwickelten HgCdTe-Heterostruktur für beste Leistung und Stabilität basiert. Das Gerät ist für die maximale Leistung bei λopt = 3,0 μm optimiert. Die Cut-on-Wellenlänge kann auf Anfrage optimiert werden. Die umgekehrte Vorspannung Vb kann die Ansprechgeschwindigkeit und den Dynamikbereich deutlich erhöhen. Es führt auch zu einer verbesserten Leistung bei hohen Frequenzen, aber 1/f-Rauschen, das in vorgespannten Geräten auftritt, kann die Leistung bei niedrigen Frequenzen verringern. Merkmale: - Hohe Leistung im Spektralbereich 2,3 - 3,2 µm - Betrieb bei Umgebungstemperatur - Keine Vorspannung erforderlich - Kein 1/f-Rauschen Parameter: PV-3 Werkstoff: MCT Typ: Fotovoltaik Immersion: Nicht-Immersion Kühlung: Nein Wellenlänge/ λopt/ µm: 3 Gehäuse: BNC, TO8, TO39 Fenster: Nein Erkennbarkeit/ D∗/ cm⋅Hz1/2⋅W-: ≥6,5x109 Zeitkonstante/ τ/ ns: ≤350

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.