1. Metrologie - Labor
  2. Optisches Element
  3. InGaAs-Fotodiode
  4. PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.

InGaAs-Fotodiode XSJ-10-APD5-40
AvalanchePINchip on carrier

InGaAs-Fotodiode
InGaAs-Fotodiode
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
 

Eigenschaften

Merkmal
InGaAs, Avalanche
Installierung
PIN, chip on carrier

Beschreibung

Beschreibung Dieser 10Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Ground (GSG)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ40μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich durch hohe Multiplikation, niedrige Kapazität, hohe Bandbreite, niedrigen Temperaturkoeffizienten und hervorragende Zuverlässigkeit aus und findet Anwendung in 10G SONET/SDH und 10G PON optischen Empfängern. Eigenschaften Φ40μm aktive Fläche. Hohe Multiplikation. Hohe Datenrate. Niedriger Temperaturkoeffizient. Ausgezeichnete Zuverlässigkeit: Alle Chips haben die Qualifikationsanforderungen gemäß Telcordia -GR-468-CORE bestanden. 100%ige Prüfung und Inspektion. Anwendungen 10G SONET/SDH 10G PON

---

Kataloge

Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.

Alle Kataloge von PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. anzeigen
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.