Sublimationsofen SiCube

KristallwachstumGlockenGas

Die HTCVT / HTCVD-Anlage wurde speziell für das Kristallwachstum von Siliziumkarbid (SiC) durch Sublimation / thermische Zersetzung (Pyrolyse) von Quellgasen bei hohen Temperaturen entwickelt. Durch die Hochvakuumfähigkeit können vor Prozessbeginn ultrareine Oberflächen sowohl in Bezug auf Wasser als auch auf Sauerstoff erreicht werden. Das Systemdesign ermöglicht die Verwendung von Substraten (Samen) bis zu einem Durchmesser von 4". Technische Daten Reaktorrohr betriebsdruck: ca. 5 - 900 mbar ca. 5 - 900 mbar betriebstemperatur: max. 2,600 °C Spannungsversorgung macht: max. 80 kW frequenz: 6 - 8 kHz Vorteile HTCVD: hochreines SiC-Material einstellung des C/Si-Verhältnisses doping Vorteile Sublimation: bekannte Technologie erfüllt die Anforderungen an Leistungssubstrate Anwendungen - PFC (Power Factor Converter) - Wechselrichter und Umrichter für die Hybridtechnik - Wechselrichter für Solarstrom - Hochfrequenzelektronik - Opto-elektronisch