Ionenstrahlverdampfer EFM-H

Prozess

Strahlungswinkel: 15 max. FWHM: (ca.) Flansch 15 bis 6 zum Probieren Abstand: 203 Millimeter oder größere Einfügungtiefe: 141.5 Millimeter kompatibel mit NGEFM oder EVC Reihe Steuerpult-Wahlen: Blendenverschluß, Gaseingang, pumpende überbrückung wirkungsvolle Wasserkühlung EIN FOKUS-Produkt das EFM-H ist ein ideales Instrument für die Reinigung und die Radierung der Halbleiteroberflächen (wie Silikon, GaAs, GE oder InP), für Oberflächenstabilisierung, für Verbesserung des Dünnfilmwachstums und andere ähnliche Anwendungen mit Atomwasserstoff. Das EFM-H kennzeichnet eine knackende Leistungsfähigkeit nah an 100%, ein glattes, flach und sharpely definiertes Punktprofil, ein niedriger Hintergrunddruck und ein überraschend Niederleistungsverbrauch zeigen die hervorragende Leistung des EFM-H. Die typische kinetische Energie der Wasserstoffatome ist MeV ungefähr 250, und weder werden Ionen noch aufgeregte Moleküle produziert. Es ist nicht nur ein gut entworfenes, aber eine auch der besten gekennzeichneten Quellen im Markt.