Wafer-Ätzmaschine / Plasma M-8000 series
für die Mikroelektronik

Wafer-Ätzmaschine / Plasma
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Eigenschaften

Typ
Plasma
Anwendung
für die Mikroelektronik

Beschreibung

Das Conductor Etch System der Serie M-8000 wird für das Ätzen von Hartmasken und Silizium für 32nm und darüber hinaus eingesetzt. Hitachi High-Tech hat im Rahmen des JDP (Joint Development Program) mit Bauelementeherstellern und Material-/Werkzeuglieferanten neue Prozessabläufe entwickelt, wie z. B. die Doppelstrukturierung und neue Materialätzprozesse wie High-K-Dielektrikum/Metall-Gate. Das Ätzsystem von Hitachi High-Tech bietet mit einer neuen Mikrowellen-ECR-Plasmaätzkammer (Elektronen-Zyklotron-Resonanz), einer Hochgeschwindigkeits-Wafer-Temperaturregelung und einer Hochvakuum-Absaugregelung eine hervorragende Profilkontrolle und CD-Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers. Die AEC- (Advanced Equipment Control) / APC- (Advanced Process Control) Technologie von Hitachi High-Tech mit originellen Datenerfassungs-, Analyse- und Kontrollsystemen sorgt für hervorragende Produktivität und Zuverlässigkeit. Anwendbarer Wafer-Durchmesser: 300 mm System-Konfiguration: 4 Kammern (max.)

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Messen

Sie können diesen Hersteller auf den folgenden Messen antreffen

36th Control 2024
36th Control 2024

23-26 Apr. 2024 Stuttgart (Deutschland) Stand 7103

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    The Advanced Materials Show

    15-16 Mai 2024 Birmingham (Großbritannien)

  • Mehr Informationen
    * Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.