DRAM-Speichermodul DDR4
schnell

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Eigenschaften

Typ
DRAM
Weitere Eigenschaften
schnell
Speicher

4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB, 128 GB

Beschreibung

ATP's 4. Generation der industriellen DDR Module verbindet Datentransfer-Raten von bis zu 2666 MT/s mit einem geringen Stromverbrauch bei einer Versorgungsspannung von ledigleich 1.2V. Sie ermöglichen hierdurch höhere Leistungen bei gleichzeitig niedrigerer Stromaufnahme verglichen mit früheren DRAM Technologien. DDR4 ist die Nachfolgetechnologie zu DDR3 und darauf ausgelegt, die Bedürfnisse des wachsenden Online Traffics zu bedienen. DDR4-2666 ist dabei die neueste Entwicklungsstufe für DRAM Module, die für Intel's neueste Generation von Xeon sowie Core i7/i5/i3 Prozessoren optimiert ist. Die Erhöhung der Taktung von 2400MT/s auf 2666MT/s erhöht die mögliche Maximalgeschwindigkeit um 15% und erlaubt dadurch noch performantere Anwendungen in den Bereichen Telekommunikation, Netzwerk-Speicher, NAS Server, Micro/Could Server oder IPCs. Hauptmerkmale Kapazitäten von 4GB bis 128GB hohe Geschwindigkeit und Bandbreite (bis zu 3200 MT/s) niedrige Spannung für geringeren Stromverbrauch hohe Zuverlässigkeit, niedriger Servicebedarf und hohe Datenqualität

Kataloge

* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.