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Strom: -4 A
Spannung: -20 V
RV5C040AP ist ein MOSFET für Lastschalter mit einer G-S-Schutzdiode.
ROHM Semiconductor
Strom: 3 A
Spannung: 80 V
Der RSQ030N08HZG ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 zertifiziert ist.
ROHM Semiconductor
Strom: 4 A
Spannung: 20 V
Der RUR040N02HZG ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 zertifiziert ist.
ROHM Semiconductor
Strom: -3,5 A
Spannung: -20 V
Der RTQ035P02HZG ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 zertifiziert ist.
ROHM Semiconductor
Strom: 2 A
Spannung: 45 V
Der RTR020N05HZG ist ein hochzuverlässiger MOSFET für die Automobilindustrie, geeignet für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: -2,5 A
Spannung: -30 V
Der RSR025P03HZG ist ein für die Automobilindustrie geeigneter MOSFET mit G-S-Schutzdiode für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: 2,5 A
Spannung: 30 V
Der RTR025N03HZG ist ein hochzuverlässiger MOSFET für die Automobilindustrie, geeignet für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: -5 A
Spannung: -12 V
Die RQ6A050ZP ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und eingebauter G-S-Schutzdiode für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Strom: 3,5 A
Spannung: 30 V
Die RQ6E035TN ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und eingebauter G-S-Schutzdiode für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Spannung: 45 V
... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...
Central Semiconductor
Spannung: 50 V
... BESCHREIBUNG: Der Zentral-Halbleiter CMKT3920 (zwei einzelne NPN-Transistoren) ist eine Doppelkombination in einem Raum sparendes SOT-363 ULTRAmini™ Paket, das für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit kleinen Signalen entwickelt ...
Central Semiconductor
Spannung: 50 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBLEITER CMPT5086, CMPT5086B und CMPT5087 sind Silizium-PNP-Transistoren hergestellt nach dem epitaktischen Planarverfahren, Epoxidharz geformt in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse, konzipiert für anwendungen, ...
Central Semiconductor
Spannung: 60 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington-Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen wird und für ...
Central Semiconductor
Spannung: 60 V
Central Semiconductor
Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V
... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...
Spannung: 50, 100 V
... Der FMMT413 ist ein NPN-Silizium-Planar-Bipolartransistor, der für den Lawinenbetrieb optimiert ist. Strenge Prozesskontrolle und induktionsarme Verpackung ergeben zusammen hohe Stromimpulse mit schnellen Kanten, ideal für die Ansteuerung ...
Diodes Incorporated
Strom: 0,5 A - 2 A
Spannung: 30 V - 140 V
... Funktionen und Vorteile BVCEO > -60V Darlington Transistor hFE > 10k @ 100mA für hohe Verstärkung IC = -500mA Hoher kontinuierlicher Kollektorstrom Komplementär Darlington PNP Typ: BCV47 Absolut bleifrei und vollständig ...
Diodes Incorporated
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