Rf-Transistoren liefern den Entwerfer die bestmögliche Leistung, die überlegene Flexibilität und das Verhältnis des Preises/Leistung. Außerdem sind Rf-Transistoren am meisten benutzt, damit neue auftauchende drahtlose Anwendungen, in denen das Pflichtenheft nicht noch fest hergestellt wird, und Hilfe frühe Zeit zum Markt gewinnt.
Infineons umfaßt führende lärmarme Mappe des Verstärkers (LNA) ...
NPN Silikon-Digital-Transistoren
Schaltungsstromkreis, Inverterstromkreis, Fahrerstromkreis
Errichtet im schrägen Widerstand (R1= 1 kΩ , R2= 10 kΩ)
BCR523U: Zwei (galvanische) interne lokalisierte Transistoren mit dem guten Zusammenbringen in einem Paket
Pb-freie (RoHS gefällig) package1)
Qualifiziert, EGZ Q101 übereinstimmend
420 MHZ bis 500 MHZ
Hohe Leistung Rf-Transistoren für Anwendungen im 420 MHZ-bis 500 MHZ-Band. Diese Transistoren sind für Gebrauch im CDMA Endverstärkerentwurf verwendbar. Hergestellt mit unserer vorgerückten LDMOS Technologie und Großserien, stellen voll-automatisierte Versammlung und Testlinien, diese Produkte ausgezeichnete Zuverlässigkeit und Übereinstimmung zur Verfügung. Unsere thermisch-erhöhten ...
TIPP29, TIPP29A, TIPP29B, TIPP29C
NPN SILIKON-ENERGIEN-TRANSISTOREN
Entworfen für ergänzenden Gebrauch mit
Reihe TIPP30
● 30 W bei der 25°C Gehäusetemperatur
● 1 ein ununterbrochener Kollektorstrom
● 3 ein Höchstkollektorstrom
● Kunde-Spezifizierte Vorwähleren vorhanden
Industrielle Halbleiter-Prüfvorrichtung mit Dichtheitsprüfung
Die B+K Präzisionsmodell 520C Transistor-Prüfvorrichtung ist für in Stromkreis und aus Stromkreistransistorprüfung mit speziellen Eigenschaften für die Herstellung der zusätzlichen Tests auf Vorrichtungen heraus aus Stromkreis heraus bestimmt. Das Instrument ist für einen Mindestbetrag Steuerhandhabung bestimmt und bildet für ...
Rohms Produktionsvolumen des Transistors ist Spitzenkategorie der Welt und Transistorprodukte hatten verfeinerten erhalten, indem sie schnell mit den Marktnotwendigkeiten einwilligten.
"Energieeinsparung", "Raumersparnis" und "hohe Zuverlässigkeit" sind die Kerne des Entwicklungskonzeptes, zwecks die attraktive Produkt-Aufstellung zu verlängern. Differenzielle Vorrichtung, dünne Paketvorrichtung ...
Die Vorrichtungen, die zwei Transistoren integrieren, sind in den ultra-kompakten Paketen vorhanden, verwendbar für verschiedene Anwendungen wie differenziale Verstärkungsstromkreise des Vorverstärkers, Hochfrequenzoscillattors, Fahrer IC und so weiter.
Eigenschaften
 Ultra-kompakter komplizierter zweipoliger Transistor für DC-DC Konverter
Die Vorrichtungen, die zwei Transistoren integrieren, sind in den ultra-kompakten Paketen vorhanden, verwendbar für verschiedene Anwendungen wie differenziale Verstärkungsstromkreise des Vorverstärkers, Hochfrequenzoscillattors, Fahrer IC und so weiter.
Eigenschaften
 Ultra-compace komplizierter zweipoliger Transistor für Energienmanagement
• Epitaxial- planare sterben Aufbau
• Ergänzende NPN Art vorhandenes (2DC4617Q, R, S) • Bleifrei/RoHS gefällig
• "Grün-" Vorrichtung
Darlington Transistoren
Eigenschaften und Nutzen
Hohes VCEO
Niedrige Sättigungsspannung
N-Channel MOSFET-und NPN Transistor in einem Paket
Niedriger Auf-Widerstand
Sehr niedrige Gatter-Schwellen-Spannung, 1.0V maximal
Niedrige Eingangs-Kapazitanz
Schnelle Schaltungs-Geschwindigkeit
Niedriges Output-Durchsickern
Ultra-Kleines Oberflächeneinfassungs-Paket
Blei, Halogen und Antimon geben frei, gefälliges RoHS (Anmerkung 2)
ESD geschütztes MOSFET-Gatter ...
MIKROWELLEN-ENERGIE GaN HEMT
TGI1314-50L
EIGENSCHAFTEN
- HOHE LEISTUNG
Pout=47.0dBm an Pin=42.0dBm
- HOHER GEWINN
GL=8.0dB an 13.75GHz zu 14.5GHz
- AUSGEDEHNTES BANDinnerlich ZUSAMMENGEBRACHTES HEMT-LUFTDICHT VERSCHLOSSENES PAKET
- NIEDRIGE INTERMODULATION-VERZERRUNG
IM3 (min.) =− 25dBc an Po=40.0dBm sondern Fördermaschine-Niveau aus
MIKROWELLEN-ENERGIE GaAs FET
TIM3742-12UL
EIGENSCHAFTEN
-  HOHE LEISTUNG
P1dB=41.5dBm an 3.7GHz zu 4.2GHz - HOHER GEWINN
G1dB=11.5dB an 4.4GHz zu 5.0GHz - AUSGEDEHNTES BAND INNERLICH BRACHTE FET zusammen - LUFTDICHT VERSCHLOSSENES PAKET
Toshiba bietet eine ultra lineare GaAsFETsproduktfamilie an, gekennzeichnet die UL-Familie, für C-Band Frequenzbereich mit höherem Gewinn, niedrigerer Intermodulationverzerrung und höherer Leistungsfähigkeit. Die UL-Produktfamilie umfaßt Produkte von 4 Watt (W) bis zu 25W und entwickelte sich für digitalen Radio der Punkt-zu-Punktmikrowelle für terrestrische Kommunikationen und Block herauf Konverter ...
NPN Silikon Darlington Transistor
Eigenschaften
* Hohe Gleichstromverstärkung
* Eingebaute Dämpfer-Diode an E-C
* Last gebildet für Oberflächeneinfassungs-Anwendung (kein Suffix)
PNP Zweck-Verstärker
Diese Vorrichtung ist für Gebrauch als universeller Verstärker und Schalter bestimmt, die Kollektorstrom zu 500 MA erfordern.
Depending on the application, your design may need a combination of general purpose, Darlington, RF, JFET, built-in bias network or low saturation transistors. Fairchild offers a complete set of products, which are thoroughly specified, available in multiple packaging options and in many configurations.
SMT (surface mount) packages can be as small as 1mm x 6mm x .40mm(tall) ie the SOT923F ...
Das STC03DE220HP wird in einer hybriden Struktur, unter Verwendung der engagierten zweipolige und Niederspannung MOSFET-Hochspannungstechnologien hergestellt, gezielt zur Lieferung der besten Leistung in der ESBT Topologie.
Das STC03DE220HP ist für Gebrauch im Zusatzrücklauf SMPS für jede Dreiphasenanwendung bestimmt.
Die Vorrichtung wird in der planaren Technologie mit Plan "der niedrigen Insel" hergestellt. Der resultierende Transistor zeigt außergewöhnliche hohe Gewinnleistung verbunden mit sehr niedriger Sättigungsspannung.
Das PD85025-E ist ein Sourceschaltung N-channel, Verbesserungmodus seitlicher Feldwirkung Rf-Energientransistor. Es ist für hohen Gewinn, Breitbandhandels- und industrielle Anwendungen bestimmt. Es funktioniert bei 13.6 V im Sourceschaltungmodus bei Frequenzen von bis 1 Gigahertz. PD85025-E rühmt sich den ausgezeichneten Gewinn, die Linearitäten und die Zuverlässigkeit der spätesten Technologie LDMOS ...
Alle Avago Technologie-Silikontransistoren sind vom zweipoligen NPN, planare Epitaxial- Art. Diese sind die hohe Leistung Transistoren, die niedrig für gegenwärtige und Niederspannung Betriebe optimiert werden; sie ideal bilden für Anwendungen im drahtlosen Kommunikationen Markt.
FET GaAs Avagos benutzt ein in Sperrichtung betriebenes Schottky-Sperre Gatter, das mit der PHEMT Technologie fabriziert wird. Diese Vorrichtungen haben eine Kombination der hohen Linearitäten und des PAE, des hohen Gewinnes und der lärmarmen Eigenschaften.
Zweipolige Transistoren
BJTs - BRTs - IGBTs
AUF Halbleiter bietet eine ausgedehnte Mappe der bipolaren Sperrschicht-Transistoren, einschließlich Audiotransistoren, darlington Transistoren, Transistoren des schrägen Widerstandes (BRTs), zweipolige Isolierschichttransistoren (IGBTs), niedrige Vce (gesessen) Transistoren, Rf-Transistoren und universelle Transistoren an.
High Power Audio transistors
ON Semiconductor supplies audio transistors for high power audio circuits.
Das TGF2021-04-SD ist ein Hochleistungs- pseudomorphic hoher Elektron-Mobilitätgaas-Transistor (pHEMT) untergebracht in einem Oberflächeneinfassungspaket der niedrigen Kosten SOT89.
Der ideale Arbeitspunkt der Vorrichtung für lärmarmen Betrieb ist an einer Abflussvorspannung von 5 V und von 150 MA. An dieser Vorspannung bei 900 MHZ, wenn sie in 50 Ohm unter Verwendung der externen Bestandteile ...
Das FH1 ist ein hoher Dynamikwerte FET, der in einem preiswerten verpackt wird
Paket Oberfläche-anbringen. Die Kombination von lärmarmem
Abbildung und mit hohem Ausschuss IP3 am gleichen schrägen Punkt bildet ihn
Ideal für Empfänger- und Übermittleranwendungen. Die Vorrichtung
kombiniert zuverlässige Leistung mit großartiger Qualität zu
die MTTF-Werte behalten, die 100 Jahre an ...
Die MIC5800/5801 verriegelten Fahrer sind die Hochspannungs-, high-current integrierten Schaltungen, die von vier enthalten werden, oder acht CMOS-getaktete D-Flipflops, ein zweipoliger Darlington Transistorfahrer für jeden Verriegelungs- und CMOS-Steuerschaltkreis für den allgemeinen FREIEN RAUM, den RÖHRENBLITZ und das OUTPUT ERMÖGLICHEN Funktionen.
Die bipolar/MOS Kombination liefert extrem ...
Renesas transistors offer support for customers' systems by supporting a wide variety of
applications, from applications requiring ultra-small size to large current or amplification applications.
NPN SILIKON-MITTLERE ENERGIEN-TRANSISTOR qualifizierte pro MIL-PRF-19500/207
Vorrichtungen
2N1479 2N1480 2N1481 2N1482
2N6058
NPN DARLINGTON ENERGIEN-SILIKON-TRANSISTOR qualifizierte pro MIL-PRF-19500/502
Die Reihe SG2000 integriert sieben NPN Darlington Paare mit
interne Ausgleichdioden, zum der Lampen, der Relais und der Solenoide innen zu fahren
viele Militär-, Luftfahrt- und industriellen Anwendungen, die erfordern
strenge Umwelt. Alle Maßeinheitseigenschaftsopen-collector-Ausgänge mit
grösser als 50V Durchbruchsspannungen kombinierte mit 500mA
Strombelastbarkeiten. Fünf verschiedene ...
