Silikon-Karbidschottky-Dioden - NEUES 3G jetzt vorhanden!
Silikon-Karbid (SiC) ist ein revolutionäres Material für Energienhalbleiter, seine physikalischen Eigenschaften an Leistung übertreffen Si-und GaN Starkstromgeräte bei weitem.
Eigenschaften
* Festpunktschaltungsverhalten
* Keine Rückwiederaufnahme
* Kein Temperatureinfluß auf das Schaltungsverhalten
...
Eigenschaften
■ Bleifreie Vorrichtung (RoHS compliant*) ■ Zurückhaltung
■ Hohe gegenwärtige Fähigkeit
■ Klassifikation UL-94V-0
Anwendungen
■ HochfrequenzschaltungsSpg.Versorgungsteile ■ Inverter
■ Freies Drehen
■ Polaritätsschutz
Eigenschaften
■ Bleifrei als Standard■ RoHS compliant*
■ Nicht bleihaltig
■ Tief gespeicherte Gebühr
Anwendungen
■ Mobiltelefone
■ PDAs
■ Tischplattenpc und Notizbücher ■ Digitalkameras
■ Spieler MP3
Wir können Designs, stellen IGBT und MOSFET Module in der Energie Strecke der Spannung von 600V zu 1700V, 0.5KW bis zu mehr als 1 MW und Module mit folgender Struktur her: ?Zerhacker, halbe Brücke, volle Brücke, 3ph Vollbrücke? .and haben viele Paketarten Module für Ihr Wählen, Versorgungsmaterial.
Eigenschaft:
Leistungsfähigkeit der hohen Energie
Fähigkeit des Kurzschlußes 10?s
Vce ...
Eigenschaften
‧ Guardring für Überspannungsschutz
‧ Sehr kleine Übertragungsverluste
‧ Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
‧ Bestandteil in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC
Mechanische Daten
‧ Fälle: DO-41
‧ Fall-Material: Geformter Plastik. UL-Entflammbarkeit
Klassifikation-Bewertung 94V-0
‧ ...
Eigenschaften
‧ Flaches Paket
‧ Ideal für automatisierte Platzierung
‧ Schutz-Ring für Überspannungsschutz
‧ Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
‧ Bestandteil in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC
Mechanische Daten
‧ Case： SOD-123
‧ Fall Material： Geformter Plastik. UL
Entflammbarkeit-Klassifikation-Bewertung ...
Eigenschaften
‧ Flaches Paket
‧ Ideal für automatisierte Platzierung
‧ Schutz-Ring für Überspannungsschutz
‧ Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
‧ Bestandteil in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC
Mechanische Daten
‧ Fall: SOD-123
‧ Fall-Material: Geformter Plastik. UL
Entflammbarkeit-Klassifikation-Bewertung ...
ROHM Abfragung Schottky-Dioden in der Aufstellung sind vom Niedrigkapazitanz typep, das für Auswerteschaltungen bis zum Band 2GHz verwendbar ist.
ROHM Schottky Sperrschichtdioden liefern niedriges VF u. IR und hoher ESD-Widerstand.
Differenzielle Schottky-Sperrschichtdioden (Io<0.5A)
ROHM Schottky Sperrschichtdioden liefern niedriges VF u. IR und hoher ESD-Widerstand.
Differenzielle Art
Mittlere Energien-Art
Energien-Art
Schwachstrom-Verlust, hohe Leistungsfähigkeit
Hohe Schwankungs-Fähigkeit
Hohe gegenwärtige Fähigkeit und niedriger Vorwärtsspannungsabfall
Für Gebrauch in der Niederspannung, in den Hochfrequenzinvertern, im freien Drehen und in der Polaritäts-Schutz-Anwendung
Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
Schutz-Ring-Aufbau für vorübergehenden Schutz
Schnelle Schaltungs-Zeit
Niedrige Rückkapazitanz
Oberflächeneinfassungs-Paket ideal entsprochen worden für automatische Einfügung
Blei, Halogen und Antimon geben, RoHS gefällige "grüne" Vorrichtung frei
Dieser neues Erzeugung MOSFET ist entworfen worden, um den onstate Widerstand (RDS (an)) herabzusetzen und doch überlegene Schaltung beibehalten
Leistung, es Ideal für Energienmanagementanwendungen der hohen Leistungsfähigkeit bildend.
DC-DC Konverter
Energienmanagementfunktionen
Eigenschaften
DIOFET verwendet einen einzigartigen patentierten Prozess, um einen MOSFET monolithisch ...
Die siC-Diode ist eine Ultrahochleistungsenergie Schottky-Diode. Sie ist unter Verwendung eines Silikonkarbidsubstrates hergestellt. Das breite bandgap Material erlaubt den Entwurf einer Schottky-Diodenstruktur mit einer 600 v-Bewertung. Wegen des Schottky-Aufbaus wird keine Wiederaufnahme an turn-off gezeigt und schellenmuster sind unwesentlich. Das minimale kapazitive turn-off Verhalten ist Unabhängiges ...
Doppelenergie Schottky-Gleichrichter entsprochen für geschaltenes ModusSpg.Versorgungsteil und Hochfrequenz-DC zu den DC-Konvertern.
Verpackt in ISOTOP, ist diese Vorrichtung besonders für Gebrauch in der Niederspannung, in den Hochfrequenzinvertern, im freien Drehen und in den Polaritätsschutzanwendungen bestimmt.
60 ein Doppelmittelvorsprung Schottky-Gleichrichter verwendbar für Automobilanwendungen.
Verpackt in PowerSO-20 (Metallklumpen oben), ist diese Vorrichtung besonders für Gebrauch in den Anwendungen einer Niederspannung bestimmt.
Eigenschaften
* 0.5 Ampere; Vorwärtsspannung weniger als 460 Millivolt.
* 400 milliwat Energien-Ableitungspaket.
* Kompakte Oberflächeneinfassung mit dem gleichen Abdruck wie Mini-melf.
FDFM2P110 kombiniert die außergewöhnliche Leistung Fairchild PowerTrench der MOSFET-Technologie mit einem sehr niedrigen Vorwärtsspannungsabfall Schottky-Sperrengleichrichter in einem MicroFET Paket.
Diese Vorrichtung ist spezifisch als einzelne Paketlösung für Dollar-Erhöhung entworfen. Sie kennzeichnet eine schnelle Schaltung, niedrigen Gattergebühr MOSFET mit sehr niedrigem Aufzustand ...
Diode GaAs-Schottky - einzelnes TSC-S-01020
♦ Verzweigungskapazitanz so niedrig wie 1fF, Grenzfrequenz >2THz gewährend
♦ Sehr niedrig parasitsche Kapazitanz < 9fF
♦ Ultra niedriger Reihenwiderstand
♦ Airbridged Anodenkontakt für niedrigen parasitschen Betrieb
♦ Völlig passiviert durch SiN
♦ Leichter Schlag Span- ...
Teledyne Scientific Company bietet eine große Vielfalt der Millimeterwelle an und submillimeter-bewegt planare airbridged Schottky-Dioden für Anwendungen in den 10 Gigahertz über 2.5 THz zur Strecke wellenartig.
Einzigartige Dioden-Eigenschaften
Verzweigungskapazitanz so niedrig wie 2fF, Grenzfrequenz >2THz gewährend
Sehr niedrig parasitsche Kapazitanz < 9fF
Ultra niedriger ...
- Silikon-Karbid hat ein elektrisches Zusammenbruchfeld 10X mehr als Si und GaAs.
- Silikon-Karbid hat eine Wärmeleitfähigkeit über 3x, das von Si und fast von 10x GaAs.
- Kleiner, Feuerzeug und zuverlässigeres.
- Kann bei den Temperaturen bis zu 300C funktionieren und an den Hochfrequenzen.
- Zuverlässigkeitsprüfung vorhanden.
er SHD Reihe hermetische Energien-Oberflächen-Einfassungschottky-Gleichrichter ist die Entwicklungslösungen, zum der Oberflächeneinfassungsanforderungen anzutreiben. Die Vorrichtungen kennzeichnen ein extrem kleines, flaches Paket und haben sehr niedrig die thermischen und elektrischen Widerstände. Die SHD Pakete enthalten keine magnetischen Elemente. So ist die Paketinduktanz in den schnellen Schaltungsanwendungen ...
Avago Technologien ist ein führender Versorger der Oberflächeneinfassung Schottky Dioden und stellt Dioden Schottky Einfassung Oberfläche der niedrigen Kosten in den hohen Volumen für Werbung und Verbraucheranwendungen her.
Dioden Schottky Avagos kennzeichnen niedrige turn-on Spannung, niedrige Kapazitanz und liefern die gleichbleibendste vorhandene Leistung.
Schottky-Dioden - Schottky-Gleichrichter
AUF Halbleiter liefert die dämpfungsärmen und hohen gegenwärtigen Schottky-Dioden und die Gleichrichter.
XBS013R1DR-G
Schottky-Sperrschichtdiode, 100mA, Art 30V
EIGENSCHAFTEN
Ultra Kleinsendung
Niedriger IR
ANWENDUNGEN
Niedriges gegenwärtiges Rectificatio
Die SynchFet Familie von Co-Verpacken Rad-Harte MOSFETs
und Schottky-Dioden bietet dem Entwerfer eine erfinderische, Brettraumersparnislösung für getastetes Netzteil und Energienmanagementanwendungen an. Rad-Harte MOSFETs
vorgerückte Verfahrenstechniken verwenden, um zu erzielen
extrem - niedriger Aufwiderstand pro Silikonbereich. Die Kombination dieser Technologie mit Schottky-Gleichrichtern ...
APT100S20B 200V 120A
Parallele Diode
- Switchmode Spg.Versorgungsteil
- Inverter
Freie drehende Diode
- Bewegungssteuerpulte
- Konverter
Niederhalter-Diode
Ununterbrechbares Spg.Versorgungsteil (UPS)
48 Volt-Ausgangs-Gleichrichter
Hochgeschwindigkeitsgleichrichter
