420 MHZ bis 500 MHZ
Hohe Leistung Rf-Transistoren für Anwendungen im 420 MHZ-bis 500 MHZ-Band. Diese Transistoren sind für Gebrauch im CDMA Endverstärkerentwurf verwendbar. Hergestellt mit unserer vorgerückten LDMOS Technologie und Großserien, stellen voll-automatisierte Versammlung und Testlinien, diese Produkte ausgezeichnete Zuverlässigkeit und Übereinstimmung zur Verfügung. Unsere thermisch-erhöhten ...
1450 MHZ bis 1500 MHZ
Infineon bietet eine Linie der hohe Leistung Rf-Transistoren an, die für Betrieb in der 1450 MHZ-bis 1500 MHZ-Frequenz Band spezifisch verwendbar sind. Diese Transistoren sind für Gebrauch in der zellularen Basisstation verwendbar und SendungsEndverstärker entwirft. Hergestellt mit unserer vorgerückten LDMOS Technologie und Großserien, stellen voll-automatisierte Versammlung ...
2400 MHZ bis 2700 MHZ
Infineon bietet eine Linie der hohe Leistung Rf-Transistoren für Anwendungen in der das 2400 MHZ-bis 2700 MHZ-Frequenz Band an, das in der Energie von 10 Watt 130 Watt reicht. Diese Transistoren sind für Gebrauch CDMA, CDMA2000, Super3G und WiMAX zellulare in der Basisstation Endverstärkerentwürfe verwendbar. Hergestellt mit unserer vorgerückten LDMOS Technologie und ...
TIPP29, TIPP29A, TIPP29B, TIPP29C
NPN SILIKON-ENERGIEN-TRANSISTOREN
Entworfen für ergänzenden Gebrauch mit
Reihe TIPP30
● 30 W bei der 25°C Gehäusetemperatur
● 1 ein ununterbrochener Kollektorstrom
● 3 ein Höchstkollektorstrom
● Kunde-Spezifizierte Vorwähleren vorhanden
Die Vorrichtung wird in der planaren Technologie mit Plan "der niedrigen Insel" hergestellt. Der resultierende Transistor zeigt außergewöhnliche hohe Gewinnleistung verbunden mit sehr niedriger Sättigungsspannung.
Das PD85025-E ist ein Sourceschaltung N-channel, Verbesserungmodus seitlicher Feldwirkung Rf-Energientransistor. Es ist für hohen Gewinn, Breitbandhandels- und industrielle Anwendungen bestimmt. Es funktioniert bei 13.6 V im Sourceschaltungmodus bei Frequenzen von bis 1 Gigahertz. PD85025-E rühmt sich den ausgezeichneten Gewinn, die Linearitäten und die Zuverlässigkeit der spätesten Technologie LDMOS ...
Die SuperFREDMesh Reihe wird durch eine extreme Optimierung von Str. gut eingerichtet abstreifen-gründete PowerMESH Plan erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv/dt Fähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt Str.-vollständige Auswahl von HochspannungsMOSFETs einschließlich revolutionäre ...
Toshiba-Energien-Halbleiter, Rf und differenzielle getrennte Niederfrequenzvorrichtungen besteht einer großen Auswahl aus Dioden, linearen IC, halbkundenspezifischen IC, Sensoren, Thyristers, TRIAC und Transistoren. Toshibas getrennte Produkte sind für Anwendungen bestimmt, die hohe Zuverlässigkeit, Energien-Leistungsfähigkeit und eine Kompaktbauweise erfordern.
Toshiba bietet eine große Auswahl ...
Toshiba fährt fort, die ausgedehntste Anordnung der getrennten Produkte anzubieten. Toshibas getrennte Lösungen umfassen eine Breite der Produkte einschließlich die differenzieller, der Mikrowelle, der Hochfrequenz IC und Starkstromgeräte (RF) der Optoelektronik, der Logik IC.
Toshiba-Energien-Halbleiter, Rf und differenzielle getrennte Niederfrequenzvorrichtungen besteht einer großen Auswahl ...
Dioden/Thyristor-Module
Standardschaltungs-Dioden und schnelle Thyristoren
Konfigurationen:
Diode/Diode
Diode/Thyristoren
Thyristoren/Thyristoren
Leistungen
Isolierung bis zu 3600Vac
Von 25A zu 600A
Von 800V zu 2200V
Angebot einer ausgedehnten Mappe der Rf-Energienprodukte, Freescale Halbleiter-Aufschläge der zahlreichen Rf-Märkte einschließlich drahtlose Infrastruktur, der Sendung und der industriellen, wissenschaftlichen und medizinischen Märkte. Freescales befriedigen führende Rf-Energienproduktopfer die zunehmennachfragen der THEORIE, der Mikrowelle und der persönlichen Kommunikationssysteme, einschließlich ...
High Power Audio transistors
ON Semiconductor supplies audio transistors for high power audio circuits.
Rohm bietet eine breite Vorwähler von MOSFET an, das von der ultra-low Auf-Widerstand Vorrichtung reicht, die Mikroverarbeitungstechnologie für Mobiltelefon, hoch-leistungsfähige/Zusammenbruchvorrichtung für das Schalten des Zweckes und bis zum Starkstromgerät für verschiedene Anwendungen verwendet.
Auch Rohm MOSFET sind vorhanden in der Anordnung wie Kleinpaket Vorrichtung, komplizierte Vorrichtung ...
N-Channel: Power MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode (HiPerFETs)
# Features: VDSS up 70V to 1200V
# ID(25): 3A to 340A
# Avalanche Rated and very rugged, High dv/dt immunity
# HiPerFET™ Technology gives Fast, Rugged, equally rated intrinsic Diode
# Low RDS(on)
# Q2-Class:Very low gate change, very fast switching times
# Q-Class: Low gate change, fast switching times ...
N-Channel: Linear "Extended FBSOA" Power MOSFETs
# Features: VDSS= 500V and 1000V
# ID(25):24A - 62A
# RDS(on): 100 mOhms
# Square SOA, Very rugged
# Low Qg and Low Rthjc
N-Channel: Trench Gate Power MOSFETs
# Features: Trech Gate MOSFET Technology
# Ultra-Low Rds(on)
# Id(25): 44A to 350A
# VDSS : 55V to 300V
# Can operate from -40 °C to 175 °C
Die XP1xxSeries sind eine Gruppe Energie MOSFET, die Tief auf Zustandwiderstand und ultra Hochgeschwindigkeitsschaltung erzielen.
Das XP151A11B0MR-G ist ein N-channelenergie MOSFET mit niedrigem Aufzustand Widerstand und ultra Hochgeschwindigkeitsschaltung
Eigenschaften.
Weil Hochgeschwindigkeitsschaltung möglich ist, kann das IC leistungsfähig eingestellte dadurch speichernenergie sein.
Um Static zu widersprechen, schützen ein Gatter Diode ist eingebaut.
Das kleine Paket SOT-23 ermöglicht mit hoher Dichte ...
■ EIGENSCHAFTEN
・ Tief auf Widerstand
・ Ultra Hochgeschwindigkeitsschaltung
・ Fahren 4V
・ EU gefälliges RoHS, Pb geben frei
■ ANWENDUNGEN
● Schaltung
Sind hermetische MOSFETs Energie Avagos bequeme Wiedereinbaue für die mechanischen und Relais, in denen hohe Teilzuverlässigkeit mit Standardabdruckleitung Konfiguration wünschenswert ist.
Allgemeine Beschreibung
Das FDS8672S ist entworfen, um einen einzelnen MOSFET und eine Schottky-Diode in den synchronen DC/DC Spg.Versorgungsteilen zu ersetzen. Dieser MOSFET 30V ist entworfen, um Energienumwandlungs-Leistungsfähigkeit zu maximieren und stellt ein niedriges RDS (an) und niedrige Gattergebühr zur Verfügung. Das FDS8672S schließt eine patentierte Kombination eines MOSFET ein, ...
IR’s IRS2548D LED control IC was awarded “Leading Product” in the 2011 EDN China Innovation Awards in the Power Device and Module – LED category. The IRS2548D Switched Mode Power Supply (SMPS) control IC for energy efficient applications for high power Light Emitting Diode (LED) illumination including LED street lighting, stadium lighting and theatrical lighting combines Power Factor Correction (PFC) ...
Products for a variety of applications, such as power supply, motor drive,
high frequency amplification, and load switch, are available. We have products
for each reliability level required for consumer and automotive electronics.
We also offer small and highly efficient DC/DC converter ICs that integrate a MOSFET and its drive circuitry.
Vishay ist der Hersteller Zahl-ein der Welt von NiederleistungsMOSFETs. Die Vishay Siliconix Energie MOSFET-Produktserie umfaßt Vorrichtungen in mehr als 30 Paketarten, einschließlich das chipscale MIKROFOOT® und die thermisch fortgeschrittenen PowerPAK® Familien. Konfigurationswahlen umfassen Co-verpackt und einzeln-sterben MOSFET plus Schottky-Diodenkombinationsvorrichtungen, sowie asymetrische ...
Ultra niedriges R
DS (AN)
Niedrige Miller-Kapazitanz
Ultra niedrige Gatter-Gebühr, Qg
Lawinen-Energie veranschlug
Extremes dv/dt
Steuerpflichtig
Verdoppeln stirbt (Ähnlichkeit)
Populäres T-MAX Paket
