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IGBT

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Hier die erste Seite des Kataloges "Frequenzumrichter, DC-Stromrichter, Servomotoren und Servoantriebe | Produktübersicht", welcher Ergebnisse zu Ihrer Suche nach igbt liefert.
  • Frequenzumrichter, DC-Stromrichter, Servomotoren und Servoantriebe | Produktübersicht
    P. 7
    thermisches Design, den Einsatz verlustarmer IGBT´s und hochwertiger Kunststoffe ? Die international anerkannte Funktion ?Sicherer Halt? (Safe Torque Off) reduziert die Systemkosten für die Maschinensicherheit ?
  • Infineon Technologies - Sensors
    IGBT Infineon Technologies - Sensors
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    DIE ModSTACK FAMILIE schließt Module der Infineon Technologien IGBT mit IGBT Fahrer mit ein, um gegenwärtige Bewertungen von 100 zu erzielen, die A bis zu A 1600 an der Linie 690 V Wechselstrom liefern. Die passenden Schnittstellen und das thermische Management sind enthalten. Alle Invertertopologien (B6U+B6I; B6I+B6Ietc.) und verschiedene Konvertertopologien sind vorhanden.


    DIE PrimeSTACK ...

    SteelTailor
    IGBT-Wechselrichter-Plasmaschneidgerät  11 - 23 KVA | SteelTailor™ Cutwell series SteelTailor
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    CutWell Inverter-Plasma-Ausschnitt-Maschine
    CutWell ist eine erschwingliche Inverterplasma-Ausschnittmaschine mit auch erschwinglichen Verbrauchsmaterialien. Es ist auch eine Hochleistungs- und haltbare Inverterplasma-Ausschnittmaschine.
    CutWell wendet IGBT Invertertechnologie an, die den Plasmabogen beständiger bildet. Die Kerfs sind mit wenig Grat oder Deformation sauberer. CutWell Plasma-Ausschnittmaschinen ...

    Shenzhen Veichi Electric Co., Ltd.
    MIG Schweißgerät  500 A IGBT Shenzhen Veichi Electric Co., Ltd.
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    500A IGBT MIG SCHWEISSER
    1 IGBT Technologie. Beständiger Ausgang. Starke Anti- Energie Fluktuation Fähigkeit
    Wird elektrischer Reaktor 2 angenommen. Starke Energie. Einfaches Bogen-Beginnen. Vollkommenes ununterbrochenes Schweißen ablity.
    Energieeinsparung 3 ist bis 30%.
    Ist schweissender Strom 4 ununterbrochen justierbar. Wenig funken. Tiefe Schweißen Lache. Schöne Schweißen Naht. ...

    IXYS
    IGBT IXYS

    XPT IGBTs
    # Features: Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage
    # Rugged XPT design (Xtreme light Punch Through) results in:

    - short circuit rated for 10 µsec.
    - very low gate charge
    - low EMI
    # - square RBSOA @ 3 x Ic Thin wafer technology combined with the SPT design results in a competitive low VCE(sat)
    # SONIC™ ...

    IGBT  300 - 1200 V , 2 - 200 A IXYS

    PT IGBTs
    # Features: VCES: 300V to 1200V
    # IC(90): 2A to 200A
    # High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2

    # and C3 A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz

    # C3: 50kHz -150kHz. A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)

    # C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching Available ...

    Leistungs-IGBT  2500, 4000 V IXYS

    Very High Voltage NPT IGBTs
    # Features: VCES: 2500V and 4000V
    # NPT Technology, Square RBSOA,short circuit ruggedness
    # Positive Temp Coefficient for ease in paralleling.
    # Low Saturation / high peak pulse current / High Speed Switching
    # U/L approved High Voltage i4-Pack with isolated tab having 2500 V rms galvanic isolation.

    Fairchild Semiconductor
    IGBT Fairchild Semiconductor

    Fairchild IGBTs feature reduced VCE(sat) and minimal Turn Off Switching Loss (Eoff)and are optimized for the design of high efficiency systems in solar inverter, UPS, welder, induction heating and power penerator applications. This portfolio includes 600V and 1200V IGBTs and are available in different key technologies: PT(Punch-Through), NPT(Non Punch-Through), FS(Field Stop; Planar, Trench, Shorted ...

    IGBT für Fahrzeugbeleuchtung Fairchild Semiconductor
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    Die ISL9V3040D3S, die ISL9V3040S3S, die ISL9V3040P3 und die ISL9V3040S3 sind die Zündung IGBTs des folgenden Erzeugung, die hervorragende SCIS Fähigkeit in der Raumersparnis D-Pak (TO-252), sowie den Industriestandard D ² - Pak (TO-263) und TO-262 und ZU 220 Plastikpaketen anbieten. Diese Vorrichtung ist für Gebrauch in den Automobilzündungstromkreisen, spezifisch als Spulenfahrer bestimmt. Interne ...

    IGBT Gate-Treiber Fairchild Semiconductor
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    Das FAN7382, ein monolithischer Hälftebrücke Gatterfahrer IC, kann MOSFETs und IGBTs fahren, die bis zu +600V funktionieren. Fairchild Hochspannungsprozeß und die Allgemeinmodus Geräusche, die Technik annullieren, stellen beständigen Betrieb des Hochseite Fahrers unter hohen dv/dt Geräuschumständen zur Verfügung. Ein vorgerückter waagerecht ausgerichteter Schiebestromkreis erlaubt Hochseite Gatter-Fahrerbetrieb ...

    SEMIKRON
    IGBT Gate-Treiber SEMIKRON
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    Fahrer
    - Doppel-IGBT Fahrer

    Neu: SKYPER 42

    * MTBF (SN29500) >2 x106h
    * Mittelausfallabstand ist 3 x-höher als Standardfahrertechnologie * EMC mit einzigartigem Zwischenlageanschluß und Ausgleich des kurzen Impulses * kundengebundene bedienungsfertige Anschlussbaugruppen
    * Fahren 600V, 1200V und 1700V IGBT der Module
    * Für industrielle Konvertersysteme ...

    Leistungs-IGBT  120 – 1460 A SEMIKRON
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    Einfache Wartung

    * Schnelle Montage und Demontage. Alle Teile sind von der Frontverkleidung zugänglich und alle entfernbaren Teile wiegen weniger als 30 Kilogramm * sogar für große Installationen mit mehrfachen Anschlusswerten, verringert die ungleiche Modularität der SEMIKUBETM Strecke die Ersatzteile

    SEMIKUBE Leistung

    * 4 Größen
    * Die gleichen Bestandteile ...

    ARCEL
    IGBT ARCEL
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    Transistor-Module

    Vorhandene Produkte:
    · Darlington Energie Transistoren
    Von 450V zu 1 200V
    Von 10A zu 600A

    · Hohe Ausgang MOSFETs
    Von 70V zu 200V
    Von 83A zu 690A

    · Hoher Ausgang IGBTs
    Von 250V zu 6500V
    Von 10A zu 3600A
    Konfigurationen: Einfach, doppelt, Zerhacker, 6pack, IPM

    International Rectifier
    IGBT International Rectifier

    IR offers an extensive IGBT portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies to achieve the highest performance for specific application requirements.

    Additionally IR has a broad range of IGBT dies designed specifically for medium to high power modules with optimized layout, integrated Rg and large gate pad.

    For modules which demand the highest reliability, Solderable ...

    IGBT Gate-Treiber International Rectifier
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    OM9402SP
    25V 8A Gatter-Fahrer des Einfachkanal-Hallo-Rel IGBT in einem SP-10A Paket

    ON Semiconductor
    IGBT ON Semiconductor

    Insulated Gate Bipolar Transistors
    ON Semiconductor supplies insulated gate bipolar transistors (IGBTs) for electronic ignition, flash, motor drive and other high current switching applications.

    IGBT Gate-Treiber ON Semiconductor
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    Mosfet-Fahrer - IGBT Fahrer
    AUF Halbleiter liefert MOSFET-Fahrer und IGBT Fahrer für niedrige Seite, hohe Seite und Hälftebrücke Antriebsstromkreise.

    Sensitron Semiconductor
    IGBT Sensitron Semiconductor
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    IGBT Modul
    · Hermetischer Kern-Aufbau für Betrieb bis zu 800A
    · Höhen-Betrieb zu den Füßen 50K
    · Hochfrequenzschaltungs-Betrieb an den Temp-Extrema
    · Interner Plan mit herabgesetzten Streuinduktanzen

    Drehzahlregler für Bürstenlose DC-Motoren   IGBT/MOSFET Sensitron Semiconductor
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    - Mosfet-schwanzlose Bewegungsfahrer: Bis bis 250V und zu 150A
    - IGBT Bewegungsschwanzlose Fahrer: Bis bis 1200V und zu 120A
    - Des Lokalisierungs- und Steuereinganges des DC-Busses optische optische Lokalisierung
    - Gegenwärtige Abfragung und Temperaturabfragung
    - Über gegenwärtiger Abschaltung und über Temperaturabschaltung
    - Verweißlichungabfragung mit wahlweise freigestellter ...

    Tianjin Century Electronics
    IGBT  IGBT-SGG 50/75/100/150/20 Tianjin Century Electronics

    SPT chip (Soft-punch-through technology)

    MOS input control

    Ultra thin IGBT chip, great current, low oss, low tail current

    Low VCE(SAT) with positive temperature coefficent

    High switch frequency, low switch loss

    High SC resistive ability

    Optimum EMC property

    Long creepage distance

    DBC insulated voltage ...

    VISHAY
    IGBT VISHAY
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    Vishays IGBT Module sind mit einigen verschiedenen Konfigurationen, einschließlich Hälftebrücke, Vollbrücke, Zerhacker und Inverter 6PAK vorhanden. Eine breite Kollektorstromstrecke, bis 200 A, ist vorhanden.

    IGBT Gate-Treiber VISHAY
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    Das VO3150A besteht aus einer LED, die optisch zu verbunden wird
    integrierte Schaltung mit einem Abgabeleistungstadium. Dieses
    Optokoppler wird ideal für treibende Energie IGBTs und die MOSFETs, die in den Bewegungssteuerinverteranwendungen benutzt werden entsprochen.
    hohe Betriebsspannungsstrecke des Ausgangsstadiums liefert die Antriebsspannungen, die durch kontrollierte Vorrichtungen ...

    Avago Technologies
    IGBT Gate-Treiber Avago Technologies
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    Steuern die hohen Produkte Zuverlässigkeit der Avago Angebote, die für das Fahren der Energie IGBTs und der MOSFETs benutzt werden im Motor ideal sind, Inverteranwendungen. Die hohe hohe output/Vcc funktionierende Spannung Strecke des Ausgang Stadiums liefert die Antrieb Spannungen, die durch Gatter gesteuerte Vorrichtungen erfordert werden.

    Clare
    IGBT Gate-Treiber Clare
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    IX2127 (Leistungsblatt - Rev02) das IX2127 ist ein Hochspannungs-, Schnellenergie MOSFET und IGBT Treiber. Hochspannungs Niveau-verschieben Sie Schaltkreis ermöglicht dieser Vorrichtung, bis zu 600V zu funktionieren. Liefern eigene Entwurfstechniken Allgemeinmodus Clares beständigen Betrieb in den hohen dV/dt Geräuschklimas. Ein Bordkomparator kann benutzt werden, um eine überstrombedingung in der ...

    HITACHI Industrial Components & Equipment
    IGBT HITACHI Industrial Components & Equipment
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    Hochspannung, Module 1.7kV, 3.3kV, 4.5kV u. 6.5kV der hohen Leistung IGBT, bis zu 2400A. Hohe thermische Ermüdunghaltbarkeit, Hochgeschwindigkeits- und dämpfungsarm. Pakete umfassen Arten des europäischen Standards.

    STMicroelectronics
    IGBT STMicroelectronics
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    Diese Hochspannung und sehr schnelle IGBT zeigt einen ausgezeichneten Kompromiß zwischen niedrigen Übertragungsverlusten und schneller Schaltungsleistung. Sie ist in der PowerMESH Technologie entworfen, die mit ultraschneller Hochspannungsdiode kombiniert wird.

    recherche-kwref www di De 2012-02-06-10