Teil: IRF5851
Beschreibung: 20V verdoppeln n und Energie des p-Kanal-HEXFET MOSFET in einem Paket des Mikros 6
IRF5851TR A IRF5851 mit dem Klebeband-und Bandspule-Verpacken
IRF5851TRPBF ähnlich IRF5851TR mit dem bleifreien Verpacken.
Die Vorrichtungen, die zwei Transistoren integrieren, sind in den ultra-kompakten Paketen vorhanden, verwendbar für verschiedene Anwendungen wie differenziale Verstärkungsstromkreise des Vorverstärkers, Hochfrequenzoscillattors, Fahrer IC und so weiter.
Eigenschaften
 Ultra-compace komplizierter zweipoliger Transistor für Energienmanagement
