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Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen Energieverlust ...
Strom: 600 A
Spannung: 1.200 V
Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an IGBT-Modulen von Littelfuse wird für Leistungssteuerungsanwendungen ...
Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...
Infineon Technologies AG
Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste in Kombination mit ...
Strom: -0,5 A
Spannung: -50 V
... 50A02CH ist ein bipolarer Transistor, niedrige VCE(sat), PNP Single für Niederfrequenz-Allzweckverstärkeranwendungen. Anwendungen Niederfrequenz-Verstärker Hochgeschwindigkeitsschaltungen Kleiner Motorantrieb Muting-Schaltung Merkmale Hohe ...
Onsemi
Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht die Integration ...
STMicroelectronics
Spannung: 7,5 V
... Der AFM906N ist für tragbare Zwei-Wege-Funkgeräte mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz ausgelegt. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal-, Common-Source-Verstärkeranwendungen in Handfunkgeräten Der ...
Strom: 95 A
Spannung: 40 V
RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
Spannung: -400 V - 1.000 V
... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche PowerPAK®-Familie. Zu ...
Strom: 5, 20, 30, 50 A
Spannung: 600 V
... Die diskrete BID-Serie von Bourns® IGBT kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors und ist damit das richtige Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die fortschrittliche Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, ...
Spannung: 110, 265 V
... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen Gerät. Geringere ...
Power Integrations
Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V
... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Spannung: 20, 50 V
... N-Kanal-MOSFET und NPN- Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage Ultrakleines ...
Diodes Incorporated
... GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen. ...
... Buchsen für Power IC Standard Typ Einfach in Reihe ●Wie bestellen ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Anzahl der Positionen 2 bis 16 Durchschlagfestigkeit - - Isolationswiderstand - - Betriebstemperatur EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x = Anzahl der Stifte (2-16) Durch ...
JC CHERRY INC.
Spannung: 45 V
... Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren die im Epitaxie-Planar-Verfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierten Gehäuse vergossen werden und für allgemeine Hochstrom-Verstärkeranwendungen konzipiert ...
Central Semiconductor
Strom: 25 mA
Spannung: 20 V
... Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor Sattigungsspannung ...
Diotec
Strom: 2 A
Spannung: 36 V
... Mit dem COM-MOSFET können Sie eine Spannung von bis zu 36 Volt steuern. Mit Hilfe von Pulsweitenmodulation kann auch die Effektivspannung gesenkt werden (z. B. zum Dimmen einer LED Beleuchtung). KOMPATIBEL MIT Arduino, Raspberry Pi, etc. KONTROLLSPANNUNG min. ...
Strom: 1 mA - 20 mA
Spannung: 2,7 V
Broadcom
Strom: 150 A
Spannung: 600 V
... untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert. Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden als Schaltelemente für die Leistungswandler von drehzahlvariablen Antrieben für Motoren, Wechselrichterantrieben ...
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus niedrigem Rauschmaß ...
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte in DBC-Technologie Typische ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Spannung: 8 V - 35 V
... Das Bluetooth-Modul ist ein Übergangsmodul für die Datenkommunikation zwischen Handy und Aggregat. Es ist über RS485 mit der Aggregatesteuerung verbunden. Über die mobile APP können Aggregatinformationen abgerufen und der Start/Stopp des Aggregats gesteuert ...
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