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Diodenbrücken

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BOURNS
Diodenbrücke BOURNS
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Eigenschaften
■ Bleifreie Vorrichtung (RoHS compliant*) ■ Kleines SMT Paket
■ Hohe Zuverlässigkeit mit überlegenem Feuchtigkeitswiderstand
■ Anwendbar auf automatische Einfügung Anwendungen
■ SchaltungsSpg.Versorgungsteil
■ Haushaltsgeräte, Büroeinrichtung ■ Telekommunikation, Produktionsautomatisierung ...

Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Dreiphasige Diodenbrücke  400 - 2 200 V, 40 - 300 A | MDx series Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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3 Phase halbe Brücke Diode Module


Die 3phasigen halben Brücke Diode Module (nichtisolierte Art):

WENN (Handels) =40A~300A, VRRM=400V~2200V, Tjm=150°C VISO?2500V (Effektivwert)
Rth (j-c) module=1/3 Rth (j-c) Span

Sensitron Semiconductor
Diodenbrücke Sensitron Semiconductor
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Sensitrons Hochspannungsprodukte, einschließlich Spannungs-Über-setzungs-getriebe, Brücken, Gewinde-bohrere/Mittelverdoppler und Hochspg-Stapel sind in einer breiten Vielzahl von Formen, von Größen und von Terminalkonfigurationen vorhanden. Sensitrons entwickelt Hochspannungsprodukt-Gruppe, stellt her und vermarktet getrennte Hochspannungsgleichrichter, Versammlungen und Stromversorgungen für die ...

Dreiphasige Diodenbrücke Sensitron Semiconductor
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Eigenschaften/Nutzen:

* Elektrischer Wert des Moduls: 600V, 200A
* Nicht-hermetisch
* Keramische Unterseite
* ModulBetriebstemperatur tange: -55C zu 125C
* Maximale Betriebshöhe: 50.000 Fuß

Dreiphasige Hochleistungs-Diodenbrücke Sensitron Semiconductor
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Eigenschaften/Nutzen:

* 600V, 300A
* Ausgezeichnete thermische Leistung
* Flexible Entwurfskonfiguration
* Raumersparnis (3 " L x 2 " W x 1 " H)
* High-efficiency Kühlkörper

C3 Semiconductors
Dreiphasige Diodenbrücke   60 - 160 A, 600 - 1600 V | 160MT Series C3 Semiconductors

160MT Series

These modules provide complete power
control in a single package, utilizing
high thermal efficiency to assure long
life and reliable performance. One
standard model, provides 2500 Vrms
isolation from all terminals to ceramic
base and are UL recognition pending.

Einphasige Diodenbrücke   60 - 100 A, 600 - 1600 V | CES Sesries C3 Semiconductors

CES SERIES

These D i o d e m o d u l e s provide complete power
control in a single package, up to 100 Amps
various circuit design with connections for
panel mounting or Fast on.
Ceramic base with 2500 Vrms isolation.
UL recognition pending

IXYS
Dreiphasige Diodenbrücke IXYS
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Eigenschaften:
# Vrrm: 800V - 1800V. Identifikation (avg): 15A - 248A
# Schraubenanschlüß. Raum- und Gewichtsparungen
# Lokalisierungsspannung 3000 V~. UL erkannte
# planare passivierte Späne
# niedrig Vf. Verbessertes Temperatur- und Energienradfahren

Einphasige Diodenbrücke IXYS
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Eigenschaften:
# Blockierspannungen: 800V - 1800V
# Identifikation (avg): 18A - 174A
# Paket mit Schraubenanschlüssn. Raum- und Gewichtsparungen
# Lokalisierungsspannung 3000 V~. UL erkannte
# planare passivierte Späne. Dcb-Technologie verwenden
# niedrig Vorwärtsspannungsabfall
# verbessertes Temperatur- und Energienradfahren

ARCEL
Dreiphasige Hochleistungs-Diodenbrücke ARCEL
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ARCEL ist der bestätigte Fachmann in den KUNDENSPEZIFISCHEN Energien von einiger KVA zu vielen Hunderten von KVA...

Zögern nicht, wenn Sie mit uns in Verbindung treten, also können wir Ihren Spezifikationen zusammen betrachten, um das passendste Produkt zu definieren, das zu Ihren Notwendigkeiten und zu Begrenzungen entsprochen wird.

Dreiphasengeschwindigkeit variator mit IPM B6U ...

Clare
Diodenbrücke Clare
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CPC7556 (Umdr. 2 Leistungsblatt) das CPC7556 integrierte Diode Brücke Angebotschutz vor Hochspannungsausgleichströmen mittels einer justierbaren Spannung Klemmplatte. Die Klemmplatte führt zwei Tätigkeiten, um die Spannung über den Diode Brücke korrigierten Ausgängen auf einen Wert, der durch durch externe Widerstände festgestellt wird und die Gatterspannung zuerst zu begrenzen, und das V+ zu den ...

Diodes Incorporated
Diodenbrücke Diodes Incorporated
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Das passivierte worden Glas sterben Aufbau
Niedriger Vorwärtsspannungsabfall, hohe gegenwärtige Fähigkeit
Schwankungs-Überlastungs-Bewertung zur Spitze 50A
Entworfen für gedrucktes Leiterplatte-Anwendungen
UL verzeichnete unter anerkanntem Teilindex, Aktenzeichen E94661
Bleifreies Ende, RoHS gefällig (Datum-Code 0532) (Anmerkung 3)

Eris Technology Corporation
Diodenbrücke Eris Technology Corporation
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Eigenschaften
‧ Flaches Paket
‧ Ideal für automatisierte Platzierung
‧ Schutz-Ring für Überspannungsschutz
‧ Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
‧ Bestandteil in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC

Mechanische Daten
‧ Fall: TO-269AA (BANDMITTEN)
‧ Fall-Material: Geformter Plastik. UL
Entflammbarkeit-Klassifikation-Bewertung ...

Fairchild Semiconductor
Diodenbrücke Fairchild Semiconductor
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Eigenschaften

* Niedriges Durchsickern.
* Schwankungsüberlastungsbewertung: 35 Ampere Spitze.
* Ideal für gedrucktes Leiterplatte.
* UL bestätigt, UL #E111753 und E326243.

VISHAY
Diodenbrücke VISHAY
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EIGENSCHAFTEN
UL-AnerkennungsAktenzeichen E54214
Ideal für gedrucktes Leiterplatte
Hohe Stoßstromfähigkeit
Dielektrische Festigkeit des hohen Falles
Lötmittelbad 260 °C, 40 s
Bestandteil in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC
TYPISCHE ANWENDUNGEN
Universeller Gebrauch in der Zweiwegkorrektur der Brücke Wechselstrom-zudC für SchaltungsSpg.Versorgungsteil, ...

Microsemi
Dreiphasige Diodenbrücke Microsemi
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483-01
Diese Reihe high-current Dreiphasenbrückengleichrichter werden mit luftdicht verschlossenen Gleichrichtern mit dem gleichen Entwurf und Aufbau wie in den Militäranwendungen für das Äußerste in der Zuverlässigkeit verwendet konstruiert. Sie können mit formalen aussortierten Militärdioden auch beliebig erreicht werden, die der Siebung 100% und Militär unterworfen worden sind, die zu MIL-PRF-19500/483 ...

Einphasige Diodenbrücke Microsemi
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1N4436

Einphasig-Brücke
Beschreibung
10Amp, 200V-600V Brückengleichrichter im hermetischen Paket.

recherche-kwref www di De 2012-02-06-11