Avalanche-Fotodioden

... InGaAs APD, die den Dunkelstrom stark reduziert Diese InGaAs-APD (Avalanche-Photodiode) reduziert den Dunkelstrom im Vergleich zu bestehenden Produkten durch den Einsatz einer neuen Bausteinstruktur und einer verbesserten ...

... Hochempfindliche Si-APD für die Detektion von Licht mit einer Wellenlänge von 266 nm Die S14124-20 ist eine verbesserte Si-APD aus der Serie S8664 für die hochempfindliche Detektion von Licht mit einer Wellenlänge von 266 nm, die in Halbleiterinspektions- ...

... Der G8931-04 ist ein InGaAs-APD, der eine Hochgeschwindigkeitsreaktion von 2,5 Gbit/s liefert, die für Trunk-Line-Glasfaserkommunikation wie SONET (synchrones optisches Netzwerk), G-PON (Gigabit-fähiges passives optisches Netzwerk) und ...

... Beschreibung Dieser 25Gbps APD-Lichtdetektorchip ist eine GSG-Elektrodenstruktur, die ein Hochgeschwindigkeits-Avalanche-Lichtdetektorchip mit positivem Lichteintritt ist, und die Größe der lichtempfindlichen Zone beträgt ...

... 25Gbps APD-Lichtdetektor-Chip ist eine GS-Elektrodenstruktur, für die Vorderseite in das Licht der Hochgeschwindigkeits-Avalanche-Lichtdetektor-Chip, die lichtempfindliche Fläche Größe ist Φ16um, die wichtigsten Merkmale ...

... Beschreibung Dieser 10Gbps Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art Ground-Signal-Ground (GSG)-Elektrodenstruktur mit einer aktiven Fläche von Φ40μm, die von oben beleuchtet wird. Dieses Produkt zeichnet sich ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist ein Lichtempfangschip mit einem internen Multiplikator für den Photostrom. Die Größe des lichtempfindlichen Bereichs des Produkts ist Φ55um und das vordere Licht ...

... Beschreibung Ein Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Photostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite ...

... Beschreibung Dieser 10G-Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art P-Elektrode auf der Oberseite und N-Elektrode in der Unterseite Struktur, mit Top-beleuchteten aktiven Bereich Größe ist Φ50μm. Dieses Produkt ...

... Beschreibung Die 10Gbps APD optischen Detektor-Chip ist GSG Elektrode Struktur, für die Front in das Licht der High-Speed-Avalanche-Licht-Detektor-Chip, der lichtempfindlichen Bereich Größe ist 40um, die wichtigsten ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite ...

... Beschreibung Der Avalanche-Photodioden-Chip (APD-Chip) ist eine Art aktives Bauelement, das eine eingebaute Verstärkung bietet und den Fotostrom verstärkt. Dieses Produkt zeichnet sich durch eine Anode auf der Oberseite ...