NPN Silikon Darlington Transistor
Eigenschaften
* Hohe Gleichstromverstärkung
* Eingebaute Dämpfer-Diode an E-C
* Last gebildet für Oberflächeneinfassungs-Anwendung (kein Suffix)
Eigenschaften
* Niedriger Vorwärtsspannungsabfall.
* Hohe Stoßstromfähigkeit.
Eigenschaften
* Niedriges Durchsickern.
* Schwankungsüberlastungsbewertung: 35 Ampere Spitze.
* Ideal für gedrucktes Leiterplatte.
* UL bestätigt, UL #E111753 und E326243.
Teil: IRF5851
Beschreibung: 20V verdoppeln n und Energie des p-Kanal-HEXFET MOSFET in einem Paket des Mikros 6
IRF5851TR A IRF5851 mit dem Klebeband-und Bandspule-Verpacken
IRF5851TRPBF ähnlich IRF5851TR mit dem bleifreien Verpacken.
Hochspannung, Module 1.7kV, 3.3kV, 4.5kV u. 6.5kV der hohen Leistung IGBT, bis zu 2400A. Hohe thermische Ermüdunghaltbarkeit, Hochgeschwindigkeits- und dämpfungsarm. Pakete umfassen Arten des europäischen Standards.
Vielseitig begabte Anordnung der Energiendioden einschließlich Glasarten der hohen Zuverlässigkeit, die Schwankungsausgleichvorrichtungen, zum der elektronischen Ausrüstung (besonders in den Automobilanwendungen) und die Hochspannungsarten für Anzeigenbetrieb an den Hochfrequenzen zu schützen. Axial- lead, Einpress- und Oberflächeneinfassungspakete vorhanden.
Silikon-Fototransistoren:
Verschiedene Paketarten (SMT und durch Loch); mit oder ohne Tageslichtfilter.
Silikon-Karbidschottky-Dioden - NEUES 3G jetzt vorhanden!
Silikon-Karbid (SiC) ist ein revolutionäres Material für Energienhalbleiter, seine physikalischen Eigenschaften an Leistung übertreffen Si-und GaN Starkstromgeräte bei weitem.
Eigenschaften
* Festpunktschaltungsverhalten
* Keine Rückwiederaufnahme
* Kein Temperatureinfluß auf das Schaltungsverhalten
...
Rf-Transistoren liefern den Entwerfer die bestmögliche Leistung, die überlegene Flexibilität und das Verhältnis des Preises/Leistung. Außerdem sind Rf-Transistoren am meisten benutzt, damit neue auftauchende drahtlose Anwendungen, in denen das Pflichtenheft nicht noch fest hergestellt wird, und Hilfe frühe Zeit zum Markt gewinnt.
Infineons umfaßt führende lärmarme Mappe des Verstärkers (LNA) ...
Silikon-Schaltungs-Diode
Für Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen
Pb-freie (RoHS gefällig) package1)
Qualifiziert, EGZ Q101 übereinstimmend
Die Vorrichtung wird in der planaren Technologie mit Plan "der niedrigen Insel" hergestellt. Der resultierende Transistor zeigt außergewöhnliche hohe Gewinnleistung verbunden mit sehr niedriger Sättigungsspannung.
Arbeitend als Triggerdiode mit einem Festspannungshinweis, kann die Reihe DB3/DB4 in Verbindung mit TRIAC für vereinfachte Gattersteuerstromkreise oder als Anfangselement in den fluorenscent Lampendrosseln verwendet werden.
Eine neue Oberflächeneinfassungsversion ist jetzt im Paket SOT-23 vorhanden und versieht verringerten Raum und Kompatibilität mit automatischer Auswahl- und Platzausrüstung. ...
Höhere Leistungsniveaus in Wiederaufnahmenverhalten, Grenzschichttemperatur, Durchsickernstrom und Schaltungsverlusten, Gleichrichter Platz Str. an dem innovativen dieses Sektors ausgedrückt.
Auf einer großen Mappe der Schottky-Sperre (Signal und Energie), einschließlich neue Lawinenbewertung, zweipoligen ultraschnellen Turbo 2 und Tandemdioden, Dämpfer- und Modulationsvorrichtungen, Str. gegründet ...
Toshiba bietet eine ausgedehnte Anordnung der Dioden einschließlich universelles, schnell an und ultraschnelle Wiederaufnahme, Schottky, PiN-Dioden für Rf schalten, Varactoren für Spannung-kontrollierte Oszillatoren (VCO) und Dioden für ESD-Schutz. Unser Diodenprodukte Oberfläche-anbringen sind vorhanden in vielen Paketarten und -größen, die sie in hohem Grade verwendbar für heutige Anwendungen bilden, ...
MIKROWELLEN-ENERGIE GaAs FET
TIM3742-12UL
EIGENSCHAFTEN
-  HOHE LEISTUNG
P1dB=41.5dBm an 3.7GHz zu 4.2GHz - HOHER GEWINN
G1dB=11.5dB an 4.4GHz zu 5.0GHz - AUSGEDEHNTES BAND INNERLICH BRACHTE FET zusammen - LUFTDICHT VERSCHLOSSENES PAKET
Toshiba bietet eine ultra lineare GaAsFETsproduktfamilie an, gekennzeichnet die UL-Familie, für C-Band Frequenzbereich mit höherem Gewinn, niedrigerer Intermodulationverzerrung und höherer Leistungsfähigkeit. Die UL-Produktfamilie umfaßt Produkte von 4 Watt (W) bis zu 25W und entwickelte sich für digitalen Radio der Punkt-zu-Punktmikrowelle für terrestrische Kommunikationen und Block herauf Konverter ...
Renesas diodes support higher performance, smaller, and lighter mobile devices.
Renesas continues to take the lead with diodes such as PIN diodes that achieve
extremely low capacity through an original trench structure.
Products for a variety of applications, such as power supply, motor drive,
high frequency amplification, and load switch, are available. We have products
for each reliability level required for consumer and automotive electronics.
We also offer small and highly efficient DC/DC converter ICs that integrate a MOSFET and its drive circuitry.
Renesas offer a wealth of triac and thyristor devices, best support for
white goods such as washing machines or rice cookers and also for strobe of digital
still camera or silver camera, so that you may cover many diversified applications and fulfill your needs.
Features
* Products available with guaranteed junction temperature of 150°C (600V, 700V, 800V)
...
Angebot einer ausgedehnten Mappe der Rf-Energienprodukte, Freescale Halbleiter-Aufschläge der zahlreichen Rf-Märkte einschließlich drahtlose Infrastruktur, der Sendung und der industriellen, wissenschaftlichen und medizinischen Märkte. Freescales befriedigen führende Rf-Energienproduktopfer die zunehmennachfragen der THEORIE, der Mikrowelle und der persönlichen Kommunikationssysteme, einschließlich ...
Mosfet-Fahrer
TIsind analoge MOSFET-Fahrer-Energien-Managementprodukte eine Teilmenge von analogem AC/DC und DC/DC Spg.Versorgungsteillösungen. Diese Seite ist Ihr Hilfsmittel, zum der Datenblätter, Anwendungsanmerkungen, Auftragsproben herunterzuladen und der parametrischen Suche zu verwenden, um andere zu erforschen Management-in Verbindung stehende analoge Lösungen der Energie
Vishay bietet eine vollständige Auswahl der Gleichrichterprodukte, einschließlich Brücke, Schottky und die fasten und ultraschnellen Wiederaufnahmenvorrichtungen an. Mehr als 20 Paketwahlen sind, einschließlich das kompakte Oberfläche-anbringen SMP, SMPC und MicroSMP vorhanden.
EIGENSCHAFTEN
UL-AnerkennungsAktenzeichen E54214
Ideal für gedrucktes Leiterplatte
Hohe Stoßstromfähigkeit
Dielektrische Festigkeit des hohen Falles
Lötmittelbad 260 °C, 40 s
Bestandteil in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC
TYPISCHE ANWENDUNGEN
Universeller Gebrauch in der Zweiwegkorrektur der Brücke Wechselstrom-zudC für SchaltungsSpg.Versorgungsteil, ...
Vishays Brückenmodule kennzeichnen Spannungsbewertungen von 50 V zu 1600 V in den einphasigen und Dreiphasenkonfigurationen und in einer großen Auswahl der Paketwahlen.
High Power Audio transistors
ON Semiconductor supplies audio transistors for high power audio circuits.
Zweipolige Transistoren
BJTs - BRTs - IGBTs
AUF Halbleiter bietet eine ausgedehnte Mappe der bipolaren Sperrschicht-Transistoren, einschließlich Audiotransistoren, darlington Transistoren, Transistoren des schrägen Widerstandes (BRTs), zweipolige Isolierschichttransistoren (IGBTs), niedrige Vce (gesessen) Transistoren, Rf-Transistoren und universelle Transistoren an.
Hohe Stoßstrom-Gleichrichter - niedrige Vorwärtsspannungsabfall-Gleichrichter
AUF Halbleiter liefert die Standard- und schnellen Wiederaufnahmengleichrichter für Stromkreise, die hohen Stoßstrom antreffen konnten.
Um diese Miniaturisierungkampagne zu unterstützen, ist ein neues Erzeugung der Span-Dioden von den Bourns aufgetaucht das die Fähigkeit anbietet um eine Silikondiode mit minimalen verpackenunkosten zu versehen. Die differenziellen 0603, 1005 und 1206 Span-Dioden sind mit Cu/Ni/Au überzogenen Endpunkten bleifrei, während die anderen Pakete (SMA, SMB, SMC, 1408, 1607, 2010, 2419, 8L NSOIC, 16L NSOIC, ...
Eigenschaften
■ Bleifreie Vorrichtung (RoHS Compliant*) ■ Schützt 4 Linien
■ Esd-u. EFT Schutz
■ Niedrige Kapazitanz <5 Leistungsfaktor
Anwendungen
■ Bewegliche Elektronik
■ Handys
■ Video/Grafikkarte
■ Schnittstelle USB-2.0
■ Sensor-Schnittstelle
Eigenschaften
■ Bleifreie Vorrichtung (RoHS compliant*) ■ Kleines SMT Paket
■ Hohe Zuverlässigkeit mit überlegenem Feuchtigkeitswiderstand
■ Anwendbar auf automatische Einfügung Anwendungen
■ SchaltungsSpg.Versorgungsteil
■ Haushaltsgeräte, Büroeinrichtung ■ Telekommunikation, Produktionsautomatisierung ...
